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韩媒报道,7月27日下午,三星韩国平泽半导体工厂发生了与气体相关的问题,工厂暂停运营以进行设施检查。
业界透露,当日平泽二厂(P2工厂)发现燃气压力存在一些问题,因此对该设施进行了简要检查。在此过程中,线路运行停止。
三星方面对媒体表示,停机时间不长,恢复后立即恢复正常运行,没有出现生产中断等损坏。
据悉,三星平泽P2工厂业务涵盖晶圆代工、DRAM和NAND Flash产线等,投资额达30万亿韩元,于2018年开始建设,大小相当于16个足球场。
该厂已在去年下半年使用极紫外光(EUV)微影技术,量产第三代 10 纳米 LPDDR5 行动 DRAM。
今年6月初,媒体曾报道,三星目前正在韩国平泽的新晶圆二厂测试第 7 代 176 层堆栈 V-NAND 快闪存储器生产线。预计月产量可达 10,000 片 12 吋晶圆,并从 2021 下半年开始量产,之后立即接续量产第 8 代 V-NAND 快闪存储器。
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文章来源:全球闪存市场整理 |
封面图片:拍信 |