离苹果预定的iPhone 6s/6s Plus正式发货时间还有两天，但网络上对于两款新品的讨论早就炸开锅。和往年一样，当大家第一时间拿到新手机后，毫无疑问又陷入新一轮的纠（si）结（bi）之中。
已经有不少媒体提前拿到iPhone 6s/6s Plus了（图片源自苹果官网）
屏幕尺寸、机身容量，甚至于生产地都会引起用户的一番纠结。今天，25日发货的iPhone 6s/6s Plus序列号已经陆续出来（官网可查），特别看到有用户说，他很追求细节（其实就是特别挑剔），成都、郑州产的之前都用过，深圳产的没试过，听说质量最高（因为最悠久？）。看到这里小编想说，瑞士的钟表老师傅也有心情不好的时候，你敢包深圳的厂妹在给你组装iPhone时没有个情绪波动啥的（玩笑）？
目前官网已经可以查看即将发货的iPhone序列号
说起纠结这事，去年iPhone 6/6 Plus上市不久就曝出“宕机门”，部分大容量产品频繁宕机重启，据了解是由于使用了TLC NAND闪存引起的，而使用MLC NAND的则不存在这一问题，为此果粉还掀起了一股反TLC浪潮。那么问题来了，iPhone 6s/6s Plus是MLC还是TLC呢？
首先我们了解下NAND Flash，其技术架构目前有4种，即SLC/MLC/TLC/QLC，其实现原理是在存储单元（cell）中存放数据信息（数据大小用bit为单位），以达到数据内容存储的目的。
TLC成本大约只要MLC的一半
SLC（Single-Level Cell）最早出现，1个cell中存放1 bit数据，存储速度快、寿命长（约10万次擦写），但由于1个存储单元只能对应存放1个位元数据的局限，因此在单位存储量上没有优势，成本高居不下。
MLC（Multi-Level Cell），1个cell中存放2 bit数据，存储速度一般、寿命一般、价格一般，约3000~10000次擦写寿命。如今大多数的消费级SSD都在用MLC。
TLC（Trinary-Level Cell），1个cell中存放3 bit数据，速度慢、寿命短、成本低（大约是MLC的一半），约500次擦写寿命，极少有厂家能做到1000次，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。
QLC（Quad-Level Cell），1个cell中存放4 bit的数据，速度最慢、寿命最短，目前正在技术研发阶段。
擦写寿命：固态硬盘不同于机械硬盘，它并不是按照数据区块划分，而是根据擦写数据量判定的。举个例子，一块固态硬盘可擦写次数500次，容量60GB，那么它的可擦写数据量就是60×500=30000GB。照这样计算，你的iPhone 6s/6s Plus（64GB）能活多久？
使用TLC NAND大容量的iPhone（特别是iPhone 6 Plus）之所以出问题，是苹果想减少写入NAND Flash的擦写次数（延长TLC寿命）而使用了RAM来缓冲数据，而MLC并不需要这样做，由于大量占用了RAM，所以就会出现程序崩溃等现象，甚至导致数据损坏。
iPhone 6s/6s Plus即将发货（图片源自网络）
经过一年的发展，TLC NAND技术日渐成熟，它低廉的成本也更利于市场普及，同时苹果将iPhone 6s/6s Plus的内存提高到2GB，相信两者提升会一定程度上杜绝宕机的发生。