（报告出品方/作者：民生证券，方竞）
1 长电科技：全球领先的集成电路封测供应商
1.1 全球布局，业务稳步扩张
公司是全球知名的集成电路封装测试企业。公司面向全球提供封装设计、产品 开发及认证，以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。通过 高集成度的晶圆级 WLP、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的 Flip Chip 和引线互联封装技术，长电科技的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用， 包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联 网、工业智造等领域。 长电科技的前身是 1972 年成立的江阴晶体管厂，2000 年改制为江苏长电科 技股份有限公司，2003 年成立长电先进，同年在上海证券交易所上市。
作为国内封测龙头企业，长电科技一直以来与国内晶圆代工龙头保持紧密合 作合作，协同发展。股权关系方面，截至 2022 年报，公司第二大股东芯电半导体 （持股比例 12.86%）由中芯国际 100%控股。 在过去的几年内，长电不断通过投资并购、海外设厂，实现了业务规模的持续 壮大和全球化布局： 2015 年，长电科技联合国家集成电路产业投资基金和芯电半导体依次设立了 长电新科、长电新朋和新加坡的 JCET-SC 三个主体，完成了对新加坡星科金朋的 并购，由于星科金朋与多家国际级半导体行业巨头有长期合作关系，公司在并购完 成后一跃成为全球第三、大陆第一的封测企业。 2016 年 5 月，长电科技通过全资子公司长电国际在韩国设立 JCET STATS CHIPPAC KOREA LIMITED（JSCK，长电韩国），整合星科金朋韩国公司的 SiP 业务能力，建设高阶 SiP 产品封装测试项目。 2021 年 6 月，长电宣布完成对 Analog Devices Inc.（ADI）新加坡测试厂 房的收购，并将其业务人员与新加坡子公司完成整合，增强业务能力。
经过二十年多年的发展，长电科技形成全球化的业务布局。公司在中国、韩国 和新加坡设有六大芯片成品制造基地和两大研发中心，在 20 多个国家和地区设有业务机构，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
公司六大生产基地分别位于江阴滨江、江阴城东、滁州、宿迁、新加坡、韩国， 各生产基地分工明确、各具技术特色和竞争优势。两大研发中心分别设立在中国高 密度集成电路国家工程实验室和韩国。
公司业务拥有广泛的地区覆盖，在全球拥有稳定的多元化优质客户群，客户遍 布世界主要地区，涵盖集成电路制造商、无晶圆厂公司及晶圆代工厂，许多客户都 是各自领域的市场领导者。公司在战略性半导体市场所在国家建立了成熟的业务， 并且接近主要的晶圆制造枢纽，能够为客户提供全集成、多工位（multi-site）、端 到端封测服务。
1.2 收入逆势增长，盈利稳健释放
2022 年半导体封测行业景气下行，但公司加快高性能封测领域的研发和客户 产品导入，强化高附加值市场的开拓，优化产品结构和业务比重，现实收入和净利 润逆势增长。2022 年全年，公司实现营收 337.62 亿元，同比增长 10.69%；实现 归母净利润 32.31 亿元，同比增长 9.20%，创历年新高。 2023 年 Q1，受半导体周期性下行影响，公司业绩短期承压，实现归母净利 润 1.10 亿元，同比下滑 87.24%，但收入端仍保持了稳健增速，单季度营收 58.60 亿元，同比增长 12.49%。
利润率和费用率方面，公司在过去数年间通过业务规模增长、运营管理精进， 实现了较好的降费增效和盈利释放。2017-2022 年，公司毛利率从 11.71%提升 至 17.04%，期间费用率从 13.55%下降至 7.47%，2019 年实现扭亏为盈，2022 年实现净利率 9.57%，盈利能力领先国内同业。2023 年 Q1，受行业景气度影响 公司毛利率短期下滑至 11.84%，净利率同步下滑至 1.88%。
从下游市场结构来看，公司下游市场以通信和消费电子为主。2022 年全年， 公司收入结构中通讯电子占比 39.3%、消费电子占比 29.3%、运算电子占比 17.4%、工业及医疗电子占比 9.6%、汽车电子占比 4.4%。 运算电子和汽车电子两大成长性赛道是公司重点发力方向。与 2021 年同期相 比运算电子收入占比增长 4.2 pct，汽车电子收入占比增长 1.8 pct，而消费电子下 降 4.5 pct。
1.3 管理团队技术背景资深
长电科技的多名管理者均为集成电路产业领域的资深专业人士，且具有多年 海外工作经历。其中，首席执行长郑力曾在美国、日本、欧洲和中国的集成电路产 业拥有近 30 年的工作经验，担任过恩智浦全球高级副总裁兼大中华区总裁，瑞萨 电子大中华区 CEO 等高级管理职务。首席技术长李春生在半导体领域拥有 20 多 年的工作经验，曾任 Amkor Technology 首席技术官、全球制造业务执行副总裁 和 Amkor 韩国总裁，拥有韩国专利 38 项，美国专利 21 项。
2 着力布局先进封装技术，强化核心竞争力
2.1 先进封装成为延续摩尔定律的重要路径
封装为半导体产业核心一环，具有保护芯片、支撑芯片及外形、将芯片的电极 和外界的电路连通、增强导热性能是封装等功能。从传统的引线框架式封装，到先 进的 Fan-Out 等封装形式，封装技术的发展大体上沿着封装面积缩小、密度提升 的路径推进。 传统封装通常采用焊线的方式进行一级互连，而随着芯片的功能进步，引脚数 量逐渐增加，倒装（Flip Chip）逐渐成为高性能芯片的主流工艺。现阶段我们把倒 装成为先进封装，是未来主流发展方向。 而在最尖端的应用中，伴随单颗芯片的面积越来越大，带来的成本大幅提升、 良率大幅下降，先进封装逐渐走向异构集成，即将单颗 SOC 拆成不同功能的小芯 粒（Chiplet），以提升良率，降低成本。Chiplet 技术逐渐成为高算力芯片重点布 局方向。
2.1.1 一级互连：从焊线到倒装
传统封装以引线框架型封装为主，芯片与引线框架通过焊线连接，引线框架的 接脚连接 PCB，主要包括 DIP、SOP、QFP、QFN 等封装形式。 但是，为了适应电路组装密度的进一步提高，引脚间距不断缩小，I/O 数不断 增加，封装体积也不断加大，给电路组装生产带来了许多困难，导致成品率下降和 组装成本的提高。为了容纳更先进芯片的更多的引脚，只有寻找更新的封装，倒装应运而生。
倒装（Flip Chip）工艺，直接在芯片的 I/O pad 上沉积锡球，翻转后焊在封 装基板等表面，锡球取代了原先引线框架工艺中引线的作用。这种封装方式的优势 在于 I/O 引出端分布于整个芯片表面，允许容纳更多的 I/O 接口，封装密度更高， 封装面积可以更接近 die size。广泛应用于高端的数字芯片，如 CPU、GPU、MCU、 NAND、DRAM 等。
2.1.2 二级互连：从通孔直插到 BGA
Wire bond 和倒装两种封装方式是芯片和封装基板之间一级互连的两种不同 技术。而封装基板和 PCB 板之间的二级互连技术亦在持续革新。 传统的引线框架封装，在封装基板与 PCB 之间通常采用通孔直插或引脚贴装。 例如早期的 DIP（Dual In-line Package）封装，又称为双列直插式封装，早在 4004、8086 和 8088 等 CPU 中得到了应用。DIP 封装适合在 PCB 板上实现穿孔 焊接，操作起来比较简单，但用于引脚只能排布在两侧，因此可容纳引脚数有限。 当 CPU 发展到 80286 时代，QFP（Plastic Quad Flat Package，塑料方形扁平 式封装）出现，在整个芯片面积不变的情况下可以容纳更多的引脚，同时信号稳定 性好，能够满足芯片高频率工作的需求。
随着芯片 I/O 引脚数急剧增加，功耗也随之增大，为满足发展的需要，在原有 的插装、贴装之外，开拓了新的二级互连方式——球栅阵列封装，简称 BGA（Ball Grid Array Package）。一级互连中的倒装，BGA 封装是在二级互连层面用锡球代 替了引脚，因为锡球遍布整个封装基板的背面，增加了二级互连可容纳的 I/O 数、 缩小了间距，消除 QFP 技术的高引脚数带来的生产成本和可靠性问题。BGA 的出 现，在 GPU（图形处理芯片）、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广 泛的应用。与此同时出现的还有矩形栅格阵列封装（LGA）、插针网格阵列（PGA）， LGA 是平面引脚，PGA 则是插针，都是新型的表面贴装技术。
2.1.3 系统级封装
一级互连的 Wire Bond 和 FC 形式均可以用于 BGA/LGA 类封装。若一级互 连采用 Wire Bond，二级互连采用 BGA 形式，则称为 WB-BGA；若一级互连采 用 FC，二级互连采用 LGA，则称为 FC-LGA。 而伴随下游应用对高集成度的需求，系统级封装应运而生。系统级封装工艺将 多枚晶粒（Die）及与其配套的无源电子元器件，根据各自的特点和电气性能要求， 通过不同的封装工艺整合在一颗芯片里，大幅提高了芯片的集成度、电气连接性能， 并近一步缩小芯片尺寸。例如系统级封装可以将处理器、DRAM、闪存、电阻、电 容、连接器、天线等全部安装在统一个衬底上，显著减小封装体积、重量，还可以 降低功耗。
从实现形式上，SIP 封装多以 BGA/LGA 为基础，在一级互连上采用 FC 或 WB 或 FC+WB 混合的形式（称为 Hybrid-BGA/Hybrid-LGA）。混合封装将正装的焊 线芯片和倒装芯片混合封装在一枚芯片里，综合了两类不同封装工艺的技术特点， 属于高端系统级封装产品。
2.1.4 晶圆级封装
在 BGA 类的封装形式中，封装基板起到了重布线的作用，即将芯片的 I/O 口 引出，通过基板上的通线，重新排布成球栅阵列/平面引脚阵列。之后诞生的晶圆 级封装，即在晶圆表面，采用与前道制造类似的铜互连层，完成重布线。 WLP（Wafer Level Package）晶圆级封装在制造流程上，是直接在晶圆/重 构晶圆上进行大部分或全部的封装测试程序，之后再进行切割制成单颗芯片。采用 这种封装技术，不需要引线框架、基板等介质，芯片的封装尺寸减小，批量处理也 使生产成本大幅下降。
WLP 又经历了从 Fan-in WLP(WLCSP)向 Fan-out WLP(FOWLP)的演进。扇 入型 WLP 直接在晶圆上进行封装，封装完成后进行切割，布线均在芯片尺寸内完 成，封装大小和芯片尺寸相同。扇出型 WLP 基于晶圆重构技术，将切割后的各芯 片重新布置到人工载板上，芯片间距离视需求而定，之后再进行晶圆级封装，最后 再切割，布线可在芯片内和芯片外，得到的封装面积一般大于芯片面积，但可提供 的 I/O 数量增加。
晶圆级封装的核心环节是凸块工艺（Bumping），即在晶圆表面制造重布线 层和凸块的环节。Bumping 的雏形是倒装芯片所需的焊球，而倒装芯片一定程度 上替代了引线键合，为此后产生的多种封装形式提供了基础。凸块工艺在产业链中 的位置介于前道晶圆制造和后道封装测试之间，因此被称为中道工序，通过高精密 曝光、离子处理、电镀等设备和材料，基于定制的光掩模，在晶圆上实现重布线， 允许芯片有更高的端口密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优 良的热传导性及可靠性。
2.1.5 Chiplet
Chiplet 技术属于 SiP 技术的一个新品类，主要用于解决大面积单颗 SOC 良 率日益下降成本上升的问题。Chiplet 工艺将不同工艺节点的小芯粒通过先进封装 技术互联形成大芯片，将大面积芯片成本从晶圆制造环节转嫁到封装环节，提升大 面积芯片良率，日益受到国内外半导体巨头的重视。除了成本和良率上的优势， Chiplet 将 SOC 拆成了模块化的小芯片，实现 IP 复用，加快芯片设计迭代速度。
实现形式上，die-to-die 的高速互连是 Chiplet 实现的基础。Chiplet 的小 芯粒可以通过载板或 Interposer 互联，而 Interposer 的材质又分为硅基、有机两 种。若芯片是平铺在封装的衬底上，则称为 2.5D 封装，若是芯片之间堆叠封装， 则称为 3D 封装。
晶圆代工龙头台积电是 Chiplet 工艺的全球领军者。由于 Chiplet 技术涉及芯 片的堆叠，因此台积电将其命名为 3DFabric™技术，旗下拥有 CoWoS、InFO、 SoIC 三种封装工艺，代表当前 Chiplet 技术的三种主流形式。
InFO 方案是以载板为封装衬底，成本相对较低，互联速度相对较慢，无 Interposer。在其变种 InFO_LSI 中在芯片之间互联位置的载板中嵌入了局部的硅 桥，提升两颗芯粒之间的互联速度，苹果 M1 Ultra 采用此种方案。 CoWoS 方案与 InFO 的区别在于加入了 Interposer 的使用，芯粒在 Interposer 上互联，再封装于载板上。硅基 Interposer 方案称为 CoWoS-s，有 机 RDL Interposer 方案称为 CoWoS-R。CoWoS 方案成本较高，互联速率更快， 因此多为算力芯片采用，Nvdia H100 采用此种方案。 SoIC 方案与前两种不同之处在于，前两种方案是在封装环节进行堆叠，而 SoIC 则在封装前就进行了晶圆键合，两片晶圆之间通过 TSV 互联，该方案于 2022 年启动量产。
2022 年 3 月 3 日，AMD、Intel 等半导体巨头宣布共同成立 Chiplet 行业联 盟，目标共同打造 Chiplet 互连标准、推进开放生态，并制定了标准规范 UCIe， 在芯片封装层面确立互联互通的高速接口标准。2022 年 6 月，长电科技加入 UCIe。
2.2 长电科技先进封装赛道实现领先卡位
2.2.1 先进封装空间广阔
伴随电子产品进一步朝向小型化与多功能的发展，芯片尺寸越来越小，芯片种 类越来越多，其中输出入脚数大幅增加，半导体封测行业对先进封装的市场需求日 益增长，先进封装在整个封装市场的占比逐年提升。 据 Yole 数据，2021 年全球先进封装市场总营收为 374 亿美元，预计先进封 装市场将在2027年达到650亿美元规模，2021-2027年间年化复合增速达9.6%， 将为全球封测市场贡献主要增量。
2.2.2 国产先进封装领军者，前瞻布局异构集成技术
长电科技旗下星科金朋、长电韩国、长电先进在先进封装领域各有建树。 星科金朋拥有行业领先的高端封装技术能力，尤其是在晶圆级扇出型封装 （Fan–Out WLP）和系统级封装（SiP）两个领域，星科金朋所拥有的 eWLB（FanOut 的一种，主要用于高端手机主处理器的封装）和 SiP 在技术上、规模上都处于 全球领先地位。2019-2022 年，星科金朋营收从 10.69 亿美元增长至 19.46 亿美 元，年均复合增速 22.08%。2022 年收入约占长电科技总收入 40%。 长电韩国为长电收购星科金朋之后对其 SIP 业务的再整合所组建，主营高端 SIP 产品封装测试。2019-2022 年，长电韩国营收从 7.48 亿美元增长至 18.49 亿 美元，年均复合增速 35.19%。2022 年收入约占长电科技总收入 38%。 长电先进主营业务为中段 bumping 晶圆级封装。2022 年营收 16.82 亿元， 约占长电科技总收入 5%。
通过各子公司的业务布局，长电广泛覆盖了先进封装的 2.5/3D 集成技术、晶 圆级封装（WLP）与扇出封装技术、系统级封装（SiP）技术、倒装封装技术四大 类主要工艺，其中 2.5/3D 集成技术下游主要覆盖高性能计算市场，扇出型晶圆级 封装技术下游主要覆盖消费电子、IOT 市场，SIP 下游则主要覆盖射频、模拟市场。
在新技术布局方面，公司于 2021 年 7 月正式推出面向 Chiplet（小芯片）的 高密度多维异构集成技术平台 XDFOI™，利用协同设计理念实现了芯片成品集成 与测试一体化，涵盖 2D、2.5D、3D Chiplet 集成技术。 由于 Chiplet 技术的工艺基础是高密度 Fan-Out 封装的芯粒在 Interposer 上的互连，而长电在 Fan-Out 封装领域有长期积累和领先优势，因此公司已率先 Chiplet 技术的稳定量产，在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域实现应 用。与客户共同开发了基于高密度 Fan-Out 封装技术的 2.5D FC-BGA 产品，同 时认证通过 TSV 异质键合 3D SoC 的 FC-BGA 产品。 2023 年 1 月，公司宣布实现国际客户 4nm 节点 Chiplet 产品出货。该方案 采用有机 RDL Interposer，可集成放置一颗或多颗逻辑芯片（CPU/GPU 等），以 及 I/O Chiplet 和/或高带宽内存芯片（HBM）等，最大封装面积高达 1500mm2。
3 封测景气复苏可期，龙头强者恒强
3.1 2022 半导体周期下行，景气复苏可期
全球半导体行业具有周期+成长叠加的特征，据 IC Insights 数据，全球半导 体市场规模近 10 年来平均每 4-5 年会经历一轮完整周期，从谷到峰的上行周期通 常是 1~3 年，从峰到谷的下行周期通常 1~2 年，2022-2023 年半导体产业步入 下行周期，IC Insights 预计 2023 年全球市场规模 6040 亿美元，同比下滑 9%， 并有望于 2024 年看到景气回暖。
本轮景气下行的原因主要是电子终端消费市场的疲弱。据 IDC 数据，2022 年 全球智能手机市场出货量 12.1 亿台，同比下降 11.3%；据 Canalys 数据，2022 年全球 PC 出货量为 2.85 亿台，同比下降 16%。受此影响，2022 年手机、PC 等 电子硬件上游的芯片库存持续走高，据 Counterpoint 数据，2022 年 Q4 全球主 要 Foundry 厂的 fabless 客户库存天数达到近 20 年来新高。
受终端需求和下游库存压力影响，2022 年 Q3 以来封测行业增速放缓，以全 球龙头日月光为例，日月光月度营收在 2022 年 6 月增速见顶，并于 11 月步入负 增长。2023 年 3 月，日月光营收 457.75 亿新台币，同比下滑 12%。
但展望 2023 年全年，我们认为有望看到行业景气度触底回暖。正如前文数据 显示，Counterpoint 预计 2023 年 Q2 fabless 芯片设计公司库存天数回到平均 水位附近，IC Insights 亦预计 2024 年全球半导体市场规模将恢复正增长。我们 认为 2023 年 Q2 有望看到封测景气度的底部企稳和下游需求复苏。
3.2 国产封测龙头崛起，公司保持领先地位
据 Yole 数据，2021 年全球封测行业规模达 844 亿美元。从格局来看，目前 全球封装测试龙头厂商主要集中在亚太地区，并且近年来 Top3 厂商市场占有率超 过了50%，行业集中度较高。据ChipInsights数据，2022年全球委外封测（OSAT） 市场前三分别为日月光（27%）、安靠（14%）、长电科技（11%）。中国台湾地区 前十大厂商占据全球 39.36%市场份额，中国大陆前十大厂商占据全球 24.55%市 场份额。长电作为国内最大的封测龙头，2022 年以 338 亿元的营收体量位居国 内第一，全球第三份额。
3.3 聚焦关键应用领域，重点投入汽车电子及 2.5D Chiplet
长电科技聚焦关键应用领域，在几个主要下游市场如 5G 通信类、高性能计算、 消费类、汽车和工业等重要领域拥有行业领先的半导体先进封装技术，能够为市场 和客户提供量身定制的技术解决方案。 5G 移动终端领域，公司提前布局高密度系统级封装 SiP 技术，配合多个国际 高端客户完成多项 5G 射频模组的开发和量产，产品性能与良率领先于国际竞争对 手，获得客户和市场高度认可，已应用于多款高端 5G 移动终端；此外，公司星科金朋新加坡厂拥有可应用于高性能高像素摄像模组的 CIS 工艺产线，也为公司进 一步在快速增长的摄像模组市场争得更多份额奠定了基础。 车载电子领域，长电科技设有专门的汽车电子事业中心，产品类型已覆盖智能 座舱、智能网联、ADAS、传感器和功率器件等多个应用领域。同时，中国大陆的 厂区已完成 IGBT 封装业务布局，并具备碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）芯片封 装和测试能力，目前已在车用充电桩出货第三代半导体封测产品。
半导体存储市场领域，长电科技的封测服务覆盖 DRAM，Flash 等各种存储 芯片产品。其中，星科金朋厂拥有 20 多年 memory 封装量产经验。16 层 NAND flash 堆叠，35um 超薄芯片制程能力，Hybrid 异型堆叠等，都处于国内行业领先 的地位。 高性能计算领域，长电科技已推出 XDFOI™全系列产品，为全球客户提供业 界领先的超高密度异构集成解决方案。XDFOI™应用场景主要集中在对集成度和算 力有较高要求的 FPGA、CPU、GPU、AI 和 5G 网络芯片等。 AI 人工智能/IoT 物联网领域，长电科技拥有全方位解决方案。公司国内厂区 涵盖了封装行业的大部分通用封装测试类型及部分高端封装类型，江阴厂区可满 足客户从中道封测到系统集成及测试的一站式服务。
2023 年，长电拟计划将主要投资的重点放在汽车电子专业封测基地，2.5D Chiplet，新一代功率器件封装产能规划等未来发展项目，并计划 2023 全年保持 65 亿元的固定资产投资，主要包括：战略投资 20 亿元人民币，产能扩充 18.8 亿 元人民币，研发投入 8.2 亿元人民币，基础设施建设 8 亿元人民币，日常运营 6.3 亿元人民币，工厂自动化与重大技改等 3.7 亿人民币。
4 盈利预测
4.1 盈利预测假设与业务拆分
公司主营业务为芯片封装测试业务，较为单一。考虑到公司在全球各地的业务 布局，以及不同生产基地对应的客户群体在产品形态、市场需求上的差异，我们分 中国大陆业务、海外业务两方面对公司业务进行分拆预测。
中国大陆业务：中国大陆地区业务主要面向国内设计公司，产品形态包括传统 封装、SIP、倒装、晶圆级封装等。受半导体周期影响，2022 年大陆地区业务需求 受损，长电宿迁、长电滁州等子公司收入下滑，国内业务整体收入维持 2.0%的同 比微增。展望 2023，我们认为伴随下游消费复苏，国内业务放缓先于海外，恢复 亦将先于海外。预计 2023-2024 年为底部复苏的上行周期，2023/2024/2025 年 大陆业务收入同比增长 8.0/8.0/6.0%。毛利率方面，同样受周期下行影响，自 2022 年 Q2 开始下滑，我们预计 2023 年有望迎来下游需求回暖和产能利用率提升，同 时伴随国内先进封装需求增长，2024 年以后有望实现盈利进一步提升。预计 2023/2024/2025 年大陆业务毛利率 21.0/24.0/24.0%。
海外业务：公司海外业务主要面向海外龙头设计公司，2022 年在公司总收入 中占比超过 70%，长电韩国、星科金朋两大海外子公司在 2022 年保持了较高的 收入利润增速。考虑到公司海外业务下游以消费电子类大客户为主，下半年通常为 消费电子季节性旺季，因此海外业务在 2023 年 Q1 才表现出放缓趋势，调整时间 相较国内更晚。预计 2023 年海外业务短期承压。但公司在海外子公司持续投入扩 产，且在 2023 年以来逐步拓展国际客户的 Chiplet 封装等高端产品，预计将在 2023 年以后快速放量，未来海外业务仍有望展现比国内业务更高的成长性。预计 2023/2024/2025 年海外业务收入同比增长 0.0/10.0/13.0%。毛利率方面，2023 年短期承压，但伴随大尺寸先进封装的产品逐渐放量和周期回暖，未来盈利能力有 望逐步提升，预计 2023/2024/2025 年毛利率 11.0/14.0/15.0%。
其他业务：与公司主营业务无关，且收入占比不足 1%，对公司盈利不构成显 著影响。预计收入随公司业务规模增长而稳定增长，2023/2024/2025 年同比增 长 3.0/3.0/3.0%，毛利率维持在 50.0%水平。
4.2 费用率预测
销售费用：公司销售费用率较低，且在 2021 年以来稳步降低。预计将保持在 此较低水平，2022-2024 年销售费用率分别为 0.5/0.5/0.5%。 管理费用率：公司 2021 年以来管理费用率随收入增长逐步摊薄，已达到较低 水平，预计未来随收入规模增长平稳下降，2022-2024 年管理费用率分别为 2.7/2.6/2.6%。 研发费用率：公司过去几年研发费用率保持稳定，主要因为持续投入先进封装 的研发。预计伴随公司产品持续迭代升级，在先进封装领域将保持稳定的研发投入， 2022-2024 年研发费用率分别为 3.9/3.9/3.9%。 财务费用：公司财务费用主要来自借款利息，但 2022 年来伴随公司盈利释 放，借款金额逐步下降，预计公司在未来伴随盈利成长将进一步偿还借款，2022- 2024 年财务费用率分别为 0.4/0.3/0.2%。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
精选报告来源：【未来智库】。「链接」