佳能最近推出了 FPA-1200NZ2C，这是一种纳米压印半导体制造工具，可用于制造先进芯片。该器件采用纳米压印光刻（NIL）技术作为光刻的替代方案，理论上在分辨率方面可以挑战极紫外（EUV）和深紫外（DUV）光刻工具。
与传统的 DUV 和 EUV 光刻设备通过投影将电路图案转移到涂有抗蚀剂的晶圆上不同，纳米压印工具采用了不同的技术。它使用压印有电路图案的掩模，直接压在晶圆上的抗蚀剂上。这种方法消除了图案转移过程中对光学机制的需求，这保证了从掩模到晶圆的复杂电路图案的更准确复制。理论上，NIL 可以一步形成复杂的二维或三维电路图案，从而降低成本。NIL本身并不是一项新技术，但多年来它一直保持并行发展，而进一步改进光刻技术所面临的挑战让佳能认为现在是重新审视的好时机。
佳能表示，其 FPA-1200NZ2C 能够以 14 nm 的最小线宽（临界尺寸，CD）进行图案化，这足以“冲压”约 26 nm 的最小金属间距，因此适用于 5 nm 级工艺技术。这与 ASML 的 Twinscan NXE:3400C（和类似）EUV 光刻扫描仪（具有 0.33 数值孔径 (NA) 光学器件）的功能一致。
同时，佳能表示，进一步完善其技术，其工具可以实现更精细的分辨率，可以实现3纳米甚至2纳米级的生产节点。
与光刻相比，纳米压印光刻具有几个引人注目的优势。首先，NIL 具有出色的分辨率，能够在不使用光掩模的情况下以极高的精度创建纳米级结构。该技术绕过了传统光刻技术中遇到的衍射极限，从而可以实现更复杂和更小的特征。此外，NIL 的运行不需要复杂的光学器件或高能辐射源，从而可能降低运营成本并简化设备。
NIL 的另一个优势是其直接图案化能力，能够有效地复制三维纳米结构。这种功能使 NIL 成为光子学和其他需要三维纳米图案的应用的有效工具。该技术还有助于提高图案保真度和均匀度。
然而，NIL 也存在一定的挑战和局限性。一个值得注意的问题是，由于压印过程中涉及直接接触，它很容易出现缺陷。基材或模具上存在的颗粒或污染物可能会导致缺陷，从而影响制造过程的整体产量和可靠性。这就需要无可挑剔的过程控制和清洁度，以保持一致的输出质量。
此外，传统形式的 NIL 是一个串行过程，这限制了其吞吐量和生产能力。与可以并行方式处理整个晶圆或大面积的光刻不同，NIL 通常涉及顺序处理较小的区域。这对大规模芯片制造技术的扩展提出了巨大的挑战，从而限制了其在芯片制造中的使用。同时，NIL可用于制作EUV和DUV光掩模。此外，理论上它还可用于为硬盘驱动器创建图案化介质。