荣耀畅玩5C最大的亮点就是首发搭载了海思麒麟650这颗芯片，这颗芯片采用16纳米 FinFET Plus尖端工艺，说起FinFET，大概可以算是2015年以来半导体行业最热门的新闻了，例如：iPhone 6s内新一代A9应用处理器就是采用FinFET这一新式电晶体架构，代表FinFET开始全面攻占手机处理器。
FinFET真正的影响是打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，使得摩尔定律在今天得以再续传奇。在FinFET之前，电晶体架构都是MOSFET结构，此结构的问题在于工艺做到20nm以下时，将无法有效控制电子传导，电子有可能偷偷从源极传导到汲极，从而导致“漏电（Leakage）”现象，也就是说，FinFET工艺之前，芯片工艺规格最多只能做到20nm以上。
那么为什么这么强调芯片制造的工艺呢？电晶体尺寸做小是很有必要的，因为电晶体结构越小，封装后的积体电路就越小，也就是说，同一大小面积上可以搭载的处理单元就越多，芯片的性能也就越强大；另外，电晶体架构减小可以降低漏电和动态功率损耗，也就是说可以更省电。
FinFET plus 工艺
FinFET技术主要是由胡正明教授等发明，把原本 2D 构造的 MOSFET 改为 3D 的 FinFET，如下图所示，因为构造很像鱼鳍 ，因此称为“鳍式（Fin）” 。FinFET技术的核心是将原本的电子传导的源极和汲极拉高变成立体板状结构，让闸极与通道之间的接触面积变得很大。这样就能使电晶体制程可以突破20nm大小，做到更小。
构造像鱼鳍的FinFET结构
除此之外，由于FinFET工艺使得闸极与通道之间的接触面积很大，因此可以更妥善的控制电流，同时降低漏电和动态功率耗损，所谓动态功率耗损就是电晶体结构由状态 0 变 1 或由 1 变 0 时所消耗的电能，降低漏电和动态功率耗损当然就更省电。
目前来说，市面上使用的大多芯片如联发科最新发布的最强芯片X25仍然只是20纳米工艺，X10，和P10更是只有28纳米工艺，高通的芯片，骁龙808和骁龙810是20纳米制程，骁龙650仍然停留在28nm上。
麒麟650采用的正是16纳米FinFET制程，相较普通28纳米工艺，可以说领先两个代际，SOC采用big.LITTLE大小核芯架构，实现功耗与性能的均衡，4颗2.0G Hz性能核芯和4颗1.7G Hz省电核芯，相较于上一代性能提升65%，功耗降低40%，GPU 采用Mali T830，相比较于上一代GPU性能提升100%，轻松胜任大型游戏自然不在话下。
除了大小核，麒麟650还内置与华为mate 8同级别的Cortex M7协处理器，支持计步功能，可实时与微信运动同步数据，协处理器的好处在于它是专门为低功耗场景设计的核心，所以一直开着记步也几乎不耗电。
通信支持全面提升
支持VOLTE：通信上，麒麟650全面支持Volte。Volte带来的好处有以下四点：1.在语音质量上，频谱范围采样率，以及Bit rate均提升一倍以上，也就是说通话语音质量提升到原来的2倍。2.呼叫延迟从原来的5~6秒变为现在的0.5~1.5秒，减少了90%的等待时间。3视频通话由QCIF变为720P格式，通话质量提升十倍。4，语音，视频，上网可以同时进行，互不干扰。玩游戏的时候也不会再担心电话打进来被断网。
支持LTE Cat 7：在数据传输上，麒麟650也有很大的提升，并支持最新的LTE Cat7标准，在传输上，下行峰值速率最高300MHz，上行峰值速率最高100MHz，相比麒麟620，上下行峰值速率都提升了100%。
防伪基站：和MATE 8的麒麟950一样，650芯片同样带有防伪基站功能。根据一份调研数据，每天普通10个用户中，就有4个人会遇到伪基站情况，会出现语音失败或垃圾短信问题。麒麟650基于通信基带处理的防伪基站技术，在技术最底层从源头上杜绝伪基站带来的诈骗电话，短信。保障用户的通信安全。
同时，麒麟650还带来芯片级的安全防护。关键信息如指纹、输入键盘，语音等，在芯片内部会有专门的安全模块来确保用户的操作安全。具体技术细节比较复杂。如硬件隔离技术，硬件加密算法引擎，安全通行，完整的密钥管理平台等一套闭环系统确保用户得到一个安全的可信界面。
16纳米全新的FinFET制造工艺，Big.LITTLE A53架构带来高性能的保障，支持VoLTE，LTE Cat7，全网通网络的通信支持，以及芯片级的安全保障，这些是荣耀畅玩5C这颗“真芯”不怕的资本。在手机同质化越来越严重的今天，唯有掌握核心技术才能在竞争环境越来越残酷的今天站稳脚跟。荣耀畅玩5C这颗“真芯”无疑就是这颗重要的棋子。