1、光迅科技(SZ002281) 光通信领域“国家队”
1.1 国内首家光电子器件上市公司，多项前瞻性收购布局高端领域
武汉光迅科技股份有限公司（光迅科技）主要从事光通信领域内光电子器件的开发及制造，是一家有能力对光电器件进行系统性、战略性研究开发的高新技术企业，也是国内为数不多的具备光电器件芯片关键技术和大规模量产能力的企业。
公司成立于2001年，前身是1976年成立的邮电部固体器件研究所，2009年8月登陆深圳证券交易所，成为国内首家上市的光电子器件公司。2012年12月，光迅科技和武汉电信器件有限公司（WTD）重组合并，推动企业在产业规模、技术研发等方面的快速发展。2013年，公司收购丹麦IPX公司，切入核心芯片技术，进军高端无源芯片市场。2016年，增资大连藏龙光电子科技有限公司，并与法方合资成立阿尔玛伊科技公司。多年以来，公司通过横纵整合并购，具备从芯片到器件、模块子系统全列产品的垂直整合能力，能够给客户提供系统性解决方案。2015年，公司光器件在全球市场份额排名第五；2017年全年国际市场销售额达到1.7亿美元，全球市场份额提升至6%，排名第四。
1.2 央企直属，聚集行业先进技术和骨干人才
公司的实际控制人是2018年由原武汉邮电科学研究院（烽火科技集团）和原电信科学技术研究院（大唐电信集团）联合重组而成的中国信息通信科技集团（简称“中信科”），中信科作为国务院国资委直属央企，是我国第三家具备“无线+有线”通信解决方案能力的方案解决商。其中，烽火科技的强项在于光通信、大唐电信的强项在于移动通信，两者的结合可以为运营商提供更加完整的解决方案、形成更为强劲的核心竞争力，在竞争激烈、格局多变的信息通信市场中更进一步。
公司集中了国内通信行业最先进的技术和骨干人才优势，已拥有1000余名高素质技术人才。其中，享受国务院政府特殊津贴和省级突出贡献中青年专家4人，湖北省首席技师1人，教授级高级工程师14人，高级工程师163人，高技术人才238人。值得一提的是公司董事长余少华作为行业内顶尖专家，名下申请20件发明专利，为中国贡献了截至目前绝大多数的中国ITU（国际电信联盟）标准；任中国通信学会常务理事、学术委员会副主任、光通信委员会主任委员、国家863计划网络与通信主题专家；以第一完成人和单一完成单位获国家技术发明二等奖两项和国家科学技术进步二等奖两项，中国专利金奖一项、优秀奖两项，全国信息产业重大技术发明三项；曾获中国青年科技奖、全国杰出专业技术人才、新世纪百千万人才工程国家级人选、湖北省最高科技奖、光华工程科技奖、全国优秀科技工作者、全国知识产权领军人才和全国劳模称号等。
公司人员边际成本拥有优势。结合具体情况来看，公司人员在2012年有一次较大的扩充，员工数从2000人迅速扩充到4000人。环比扩充后的人均情况可以发现，人均创收从2012年的52.95万元增长至2017年的110.59万元，5年增长108.86%；人均创利从2012年的4.03万元增长至2017年的8.12，5年增长101.49%。
1.3 光器件行业全球领先，光芯片国内龙头
公司多年以来始终坚持立足国内、面向全球的国际化发展思路。2018H1完成销售收入24.35 亿元，其中国际市场在重点区域和重点客户处均取得突破，国际销售同比显著增长60%；在设备商领域，高速新产品形成销售突破，高速模块获重点客户大份额；在运营商市场，中标多个项目，首次中标行业网市场多个项目，光路子系统市场占有率提升至70%；在新兴的咨讯商市场，以大份额或全份额中标多个客户。
公司在接入网领域有绝对优势，根据咨询机构Ovum数据，2016Q4-2017Q3公司在接入网光器件领域全球市场份额占比高达8.9%，全名全球第一。由于光器件产品技术在电信、数通、接入等应用领域的差异化要求，使得整个行业碎片化，各个细分市场均有占有优势地位的领先厂商，但目前并没有哪一家厂商在各个领域都具有明显的领先优势。结合电信、数通、接入三大领域综合来看，公司产品全球综合市场份额约5.5%，排名全球第五。
近年来，公司在海外多个国家均实现突破。2018年公司进一步加快国际市场开拓，着力构建面向全球、结构更优的营销网络，北美和欧洲市场均有不俗斩获。亚太地区成功突破新加坡电信市场，部分产品获得韩国客户最大份额，在日本客户处形成销售突破。
2、数通发展及5G应用，推动光模块需求大增
2.1 全球数据中心建设增速不减
数据中心网络架构调整，拉动光模块需求。科技的进步也对数据中心网络架构发生了较大的变化。传统数据中心网络架构选择三层网络（纵向传输方式），但是随着数据中心利用率以及效用最大化，传统三层网络结构已不能满足需求，公司更多的采用开放的架构即叶脊拓扑结构（Leaf-Spine），相比传统纵向传输（用户和 IDC/云之间）增加了更多的横向传输（IDC 之间，IDC 和云，IDC 和企业），这样减少传输复杂度并提高了业务的灵活性。Leaf-Spine 结构的数据中心增加了更多的横向连接需求，反映出网络架构更加的扁平化，如图表6，数据中心内部与数据中心之间的横向流量将成为互联网流量的主体，替代传统的纵向流量。网络架构的改变带动数据中心横向流量的增加，也即对应的数据中心互联的需求持续上升。数据中心扁平化的网络结构带来更多的横向连接需求，意味着服务器和交换机之间的连接需要更多的光模块来完成高带宽低延时的连接。
全球数据中心流量的快速增长，驱动光模块升级。数据流量的爆发增长必然对网络基础设施不断提出新要求，现有光网络需要升级、扩容以满足新的要求。谷歌2018年已开始向市场小批量采购400G光模块进行试用，北美各大前四大云服务运营商均已明确表示2018年将开始布局100G/400G升级迭代；国内预计2019年将会淘汰10G/40G平台，各大云服务运营商将全面转向40G/100G平台。
全球还有相当数量的超级数据中心处于规划、建设和落地阶段。数据中心遵循集中化大型化，演变成超级数据中心已成趋势，从应用端来看，由于成本和计算量的问题，越来越多的企业放弃拥有自己的数据中心，将应用程序迁移到云平台；从供应份额来看，拥有几十万台乃至上百万台服务器的超级数据中心供应占比增速远高于其数量增速；从数量来看，超级数据中心从2015年的259个，快速增长至2017年底的346个，预计2018年底将有399个超级数据中心投入运营。
中国拥有全球最大的数据中心增量需求，同时建设速度正在加速。2012-2017年北美四大超级数据中心运营商（谷歌GG、亚马逊AMZ、微软MS、FACEBOOK）资本开支从105.98亿美元增长到381.04亿美元，五年期CAGR为29.17%，同期国内三大超级数据中心运营商（阿里巴巴、腾讯、百度）资本开支从15.77亿美元增长到117.78亿美元，五年期CAGR高达49.5%，远高于北美地区，并且增速还在呈现进一步加快态势。
2.2 5G商用加速，推动光模块需求上涨
3GPP制定的非独立组网（NSA）标准已于2017年12月冻结，而独立组网标准（SA）也于2018年6月冻结。虽然上月3GPP透露，原计划于2018年12月冻结的R15 Late Drop版本将推迟到2019年3月，但3GPP也明确指出，本次的推迟不会对首批的5G部署产生任何影响。从产业推进的节点来看，late drop在5G首批部署进程完成之前冻结的预期不变。
目前5G正在全球范围内加速发展，美国、韩国、中国较为领先。国际方面：韩国三大运营商SKT、KT和LG U+于12月1日宣布在韩国部分地区正式推出5G商用；美国AT&T于12月在12个城市正式商用基于3GPP标准的面向移动终端的5G服务；芬兰运营商Elisa已经宣布商用5G网络，并且还推出了全球首个5G移动套餐，每月收费50欧元（约400元人民币），无限量，网速最高可以达到600Mbps（75MB/s）。从国内和国际5G建设来看，2019年将会迎来5G产业春天。
国内方面：12月19日至21日在北京召开的中央经济工作会议指出，我国发展现阶段投资需求潜力仍然巨大，要发挥投资关键作用，加大制造业技术改造和设备更新，加快5G商用步伐，加强人工智能、工业互联网、物联网等新型基础设施建设，加大城际交通、物流、市政基础设施等投资力度，补齐农村基础设施和公共服务设施建设短板，加强自然灾害防治能力建设。
5G建设促进宏基站、小基站数量增长。首先，5G频谱率上升，基站覆盖范围面积减小，5G将在2.6GHZ、3.5GHZ和4.9GHZ建网，如果想要达到相同的覆盖规模，5G基站的数量将是4G基站的数倍。其次，5G网络由于引入了大带宽和低时延的应用，需要对RAN（Radio Access Network，无线接入网）体系架构进行改进。5G的RAN网络将从4G/LTE网络的BBU（Baseband Unit，基带单元）、RRU两级结构将演进到CU、DU和 AAU三级结构，使得5G传输网增加中传部分，每个CU和DU之间至少需要两个光模块来传输数据。5G 前传预计会延用1个 DU 带 3 个AAU的方案，因此和4G类似同样需要6个光模块。最后，5G时代，核心网必须满足5G低时延业务处理的时效性需求。4G时代，核心网部署位置较高，一般在网络骨干核心层。如果5G核心网的位置依旧和4G相同，UE（User Equipment，用户设备）到核心网的时延将难以满足要求。因此，核心网下移以及云化成为5G发展的趋势。具体来看，单个CU会和附近的多个 DU/DU池连接，同样地，CN（Core Network）和CU之间也会增加横向连接。CU 和 DU 之间以及 CU 和 CN 之间的互联使得光模块数目增加 4~8 倍。其次，5G传输网的光模块在速率上也会有一定提升。前传需要升级至10G/25G，经过数据压缩后，中传预计采用10G/25G亦可，回传预计将升级至100G。
根据中国联通在“面向5G的LTE网络创新研讨会”上的表示，5G宏基站数可能为4G的1.2倍，预计在394万个；据此，我们推测小基站预计总数在500万站左右。
5G基站建设拉动光模块国内市场600亿。前传方面，宏基站每个基站覆盖3个扇区，共需6个光模块。中传和回传方面，参考中国电信模型，承载网一般分为：接入层、汇聚层和核心层，接入和汇聚设备采用环状组网，每12000个基站需要4个核心设备、42个汇聚环、1500个接入环，每个接入环连接8个基站需要带宽50/100G，每个汇聚环连接6个汇聚设备需要带宽200/400G，每个设备带6个接入环，考虑带宽收敛比为6:1，核心层的带宽需求在初期就将超过 6Tb/s，成熟期将超过17Tb/s。因此，在 5G 传送承载网的接入、汇聚层需要引入 25Gb/s、50Gb/s 速率接口，而核心层则需要引入 100Gb/s 及以上速率的接口。
3、全系列产品垂直整合，实现光芯片国产化战略目标
3.1 产品线丰富，业务稳步增长
光迅科技主要从事光电子器件及子系统产品研发、生产、销售及技术服务，是全球领先的光电子器件、子系统解决方案供应商。在电信传输网、接入网和企业数据网等领域构筑了从芯片到器件、模块、子系统的综合解决方案。主要产品包括光电子有源模块、无源器件、光波导集成器件，以及光纤放大器和子系统产品等，按应用领域可分为传输类产品、接入类产品、数据通信类产品。
在光通信产业链中，公司所从事的光电子器件生产处于产业链的上游，下游面向的主要是通信系统设备行业，公司生产的光电子器件产品由通信系统设备厂商系统集成为光传输设备，再由通信系统设备厂商提供给电信运营商，由电信运营商构建完整的通信网络后向终端消费者提供各种电信服务。
公司现有产品线丰富，覆盖了所在的光电子器件产业主要产品，构筑了从芯片到组件、模块、子系统的综合解决方案，已成为国内唯一一家有能力对光电器件进行系*战统**略性研究开发的高新技术企业。
核心业务突出，收入来源以国内为主，积极进攻海外市场。公司2017年报数据显示，传输类业务创造了公司60%以上的营收，数据通信类及接入类产品提供了36.29%的营收，三大核心业务合计占公司营收的98%以上，业务布局清晰。地区来源方面，公司74.82%的营业收入来自中国大陆地区，北美、亚太及欧洲等海外地区合计占比25.18%。近年来，公司在海外多个国家均实现突破。近年来，公司进一步加快国际市场开拓，着力构建面向全球、结构更优的营销网络，北美和欧洲市场均有不俗斩获。亚太地区成功突破新加坡电信市场，部分产品获得韩国客户最大份额，在日本客户处形成销售突破，2018H1国际销售同比显著增长60%。
营收规模稳步增长，三季度业绩增速恢复。2009年公司总营收为7.3亿元，2017年增长至45.53亿元，CAGR达25.71%；2009年归母净利润为1.04亿元，2017年增长至3.34亿元，CAGR为15.69%。2018前三季度总营收为36.59亿元，同比增长7.55%；2018前三季度公司实现净利润2.63亿元，同比增长4.66%，增速有所放缓，原因在于上半年公司业绩受中美贸易摩擦影响，短期承压。随着中兴事件的解决，三季度公司业绩恢复较快增长，单季度营收同比增长率为21.11%，归母净利润同比增长率更是达到了55.36%，预期公司2018全年营收总额及归母净利润将保持稳步增长趋势。
客户集中度较高，华为新订单拉动公司产品需求。光迅科技的客户以设备厂商为主，2017年前五大客户销售额合计占公司年度销售总额的52.22%，前三大客户占比47.13%，其中第一大客户华为的销售占比为26.61%。一方面，公司前五大客户占比相对较高，避免客户过度分散带来的高运营成本；另一方面，单一客户的份额占比没有过高因此公司能够保持一定的议价能力。
据英国《金融时报》报道，英国第二大移动运营商O2将于2019年1月测试华为的5G设备，并将在伦敦的200个蜂窝基站部署华为通信设备，替换目前正在使用中的诺基亚设备。不久前，英国电信（EE的母公司）首席网络架构师尼尔·麦克雷曾公开表示：“华为是目前唯一一家真正的5G供应商”。除了O2以外，O2的竞争对手英国无线运行商EE、英国移动运营商Vodafone也表示会继续使用华为的5G设备，报道中还透露，目前3家公司已经与华为达成了20亿英镑（约174亿人民币）的合作协议，并将从2019年1月正式运营。各大运营商都在加速5G建设，力求尽快实现5G商用，作为公司的第一大客户，华为大额订单的获得将拉动光迅科技销售额的增长。
3.2 25G光芯片量产在即，打开公司成长天花板
光芯片主要用于光电信号转换，遵循“Chip-OSA-Transceiver”的封装顺序，激光器芯片（Chip）通过传统的TO封装或新兴的多模COB封装形式制成光模块（Transceiver）。在光通信系统中，常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三种类型，分别应用于不同传输距离和成本敏感度的应用场景。
国外技术垄断高端光芯片国产化率低。目前Finisar、Lumentum等国外厂商占据了国内高端光芯片、电芯片领域市场的90%以上份额。国内能够生产光通信芯片的企业约30余家，在高速率激光器和调制器芯片上，目前仅光迅科技、海信宽带、华工正源等少数国内厂商能量产10G以下速率芯片，对于应用于100G及以上高速光模块的25Gbps/s芯高端芯片严重依于博通、三菱等美日公司，相干光模块中应用的窄线宽可调谐激光器、MZ调制器等也都依赖进口。在无源芯片方面，PLC光分路器芯片国内光迅科技、仕佳光子、鸿辉光通等已实现批量供应，AWG芯片仅光迅科技、仕佳光子等可以提供。5G移动通信前传光模块需要的50Gb/s PAM-4芯片上，还没有国内厂家能够提供解决方案。
公司是国内唯一一家有能力对光电器件进行系*战统**略性研究开发的高新技术企业，具有从芯片到组件、模块、子系统全系列产品的垂直整合能力，其中光芯片处于产业链的核心位置，具有高技术壁垒，占据了产业链的价值制高点。相比于旭创、博创、新易盛等同行业公司，公司产品布局的最大优势在于其光芯片产品，随着国内5G商用的渐行渐近，25G光芯片将为公司带来新的增长点。
双线研发战略助力光迅提前布局高端光芯片。通过收购丹麦IPX和法国Almae公司，光讯分别掌握了高端无源光芯片和有源光芯片的制造技术，并采用双线战略：法国Almae公司研发25G EML芯片（80KM，骨干网用），国内团队研发25G DFB芯片（10KM距离），目前25G DFB芯片已实现客户送样，EML芯片研发进展顺利，预期2019年可以实现商业化量产。推出的120G CXP模块和100G QSFP28 SR4模块产品首次实现了100G光模块的芯片国产化。
光芯片市场潜力巨大，光迅科技将持续受益。光芯片属于技术密集型行业，具有极高的技术壁垒和复杂的工艺流程，因此光芯片在光器件/光模块中成本占比较大。一般情况下，对于低速率光器件（转换速率小于10Gbps/s），光芯片在光器件/光模块中的成本占比约为30%；而对于高速光器件（调制速率大于25Gbps/s），芯片的成本占比达到70%。
2015年全球光器件市场规模为77.7亿美元，2020年有望达123亿美元。根据ICCSZ统计，在不考虑消费电子VCSEL激光市场规模的情况下，2015年中国光器件市场规模为16.2亿美元，到2020年有望达到26.8亿美元；若考虑消费电子VCSEL激光器，国内光芯片市场从2018年开始将加速拓展。光芯片占光器件成本比率按照50%保守预估，国内光芯片市场规模有望从2015年的8.1亿美元增长到2020年的21.4亿美元，CAGR达21.4%。随着芯片速率的提升，制备难度增大，成本占比将进一步提升，光讯科技等拥有核心芯片实力的厂商有望持续受益。
3.3 六大核心技术工艺平台助力产品垂直整合
作为光电子器件研发的先行者和领导者，公司先后承担“863 计划”、“973 计划”等各类国家级项目一百余项，累计起草国家标准和通信行业标准一百五十项，申请国内外专利一千余件。公司连续十年排名“中国光器件与辅助设备和原材料最具竞争力企业10强”榜首，并被国家发改委、科技部等联合授予“国家认定企业技术中心”、“国家技术创新示范企业”称号。
公司在技术和产品开发上实行集成产品开发（Integrated Product Development, IPD），全面提升开发效率和质量。充分发挥“三位一体”的产业协同优势，紧抓核心、突出技术预研，不断深化前沿产业布局：（1）10G VCSEL/DFB/EML/APD全系列芯片实现商用，形成“短中长”阶梯互补，支撑产品市场竞争力；（2）着眼5G开展技术预研，已布局25G PD/DFB/EML芯片开发，带宽等关键指标获得突破；（3）实现10G EML芯片量产，通过重要客户认证，进一步扩展高端光芯片的商用领域；（4）通过优化加热电极工艺，提升插损及相位指标，助推VOA量产释放。
通过持续不断的技术积累，公司形成了半导体材料生长、半导体工艺与平面光波导技术、光学设计与封装技术、高频仿真与设计技术、热分析与机械设计技术、软件控制与子系统开发技术六大核心技术工艺平台，拥有业界最广泛的端到端产品线和整体解决方案，具备从芯片到器件、模块、子系统全系列产品的垂直整合能力，灵活满足客户的差异化需求。
持续多年研发投入，已形成技术高台。公司近五年累计申请专利751项，2017全年共申请专利202件，同比增长18.82%，申请政府项目38项，批复16项，批复资金约3600万元；公司完成政府级科技奖励8项，获国家科学技术进步奖二等奖一项，湖北省科技进步一等奖一项；全年提交国际标准文稿4篇，国内标准12篇，进一步提升业界技术形象和国际影响力。这些重大技术成果、创新业绩的取得源于公司始终注重研发，研发费用从2010年的6900万元增长至2017年的4.07亿元，CAGR高达28.86%，研发营收占比稳定在9%左右，同行业的旭创和博创均为6%左右，新易盛在4%左右。
研发人员占比固定，人均产出持续高涨。2011-2017年公司研发人员占比维持在15%左右，连续四年保持增长态势。人均创收重2011年的54.9万元增长至2017年的110.59万元，CAGR为12.38%，反映了公司通过研发而提高了效率。
3.4 聚焦集成化产品，毛利率稳定
产品集成化，聚焦高毛利领域。在公司战略上，为了维持较高的毛利率水平，光迅科技确立了产品集成化、智能化、小型化的发展方向，着力于继续提高子系统集成度，聚焦高毛利领域，外包低附加值产品。坚持创新引领、业务驱动，进一步提升新产品成熟度、降低老产品成本，不断增强核心产品综合竞争力。
近年来公司毛利不断增长，从2009年的2.31亿元增长至2017年的9.49亿元，CAGR为19.32%；2018前三季度实现毛利6.88亿元，与2017年同期持平，表明公司已逐步走出上半年中兴事件影响。销售毛利率水平维持在22%左右，净利率水平稳定在7%左右。
分类产品毛利率稳定，传输类产品提供核心收益。对比13、14、17年（15、16年报未公开主营成本产品构成情况）数据发现，传输类产品为公司创造毛利润最多，由13年的3.08亿增长至17年的7.34亿，且毛利率最高，稳定在25%以上；接入与数据类产品创造毛利也呈现递增态势，毛利率平均在14%左右。
3.5 肩负光器件自主可控战略任务
工信部颁布《光器件产业发展路线图》，将光芯片国产化上升为国家战略。2018年1月，工信部发布了《中国光电子器件产业技术发展路线图（2018-2022年）》，全面量化了核心光芯片的发展规划，全面提速DFB、EML、VCSEL等核心芯片的国产化进程。规划到2020年实现以下目标：（1）25G级以上VCSEL芯片及器件：国产化率将从目前的0%提升至10%—20%左右；（2）25G及以上的DFB芯片：国产化率将超过30%；（3）10G/25G EML芯片：国产化率将分别达到50%和30%。《光器件产业发展路线图》将光芯片的发展提升至国家战略层面，未来几年光芯片国产化率稳步提升的确定性高。
公司实控人中国信息通信科技集团研发实力强劲。公司第一大股东烽火科技集团的实际控制人是成立于2018年的中国信息通信科技集团，由原武汉邮电科学研究院（烽火科技集团）和原电信科学技术研究院（大唐电信集团）联合重组而成。武汉邮电科学研究院（WRI）是国资委100%控股、直接管理的央企，在光纤通信领域具有极强的研发实力，是中国光通信的发源地，也是国内唯一集光通信三大战略技术（通信系统、光纤光缆、光电器件）的研究、开发、生产和销售于一体的科研与产业实体。
公司牵头组建光电子创新中心，承载自主可控战略任务。中兴禁运事件及中美贸易摩擦的不断升级使得自主可控成为焦点所在。2016年10月，光迅科技牵头组建湖北省信息光电子创新中心；2017年10月，工信部正式批复同意武汉建设国家信息光电子创新中心；2018年4月26日，国家信息光电子创新中心在武汉正式挂牌，成为《中国制造2025》发布后全国正式批复建设的第三家国家级制造业创新中心，光迅科技以37.7%的持股比例成为第一大股东。光电子创新中心承载着解决我国信息光电子制造业“关键和共性技术协同研发”并“实现首次商业化”的战略任务，推动核心光电子芯片和器件行业供给率超过30%，计划将在2025年前实现核心光电子芯片和器件领域的自主可控。