OB2136是一款可靠性高、与逻辑电路接口方便的功率MOSFET或IGBT驱动器。它集成了三个独立半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达+650V电压下工作。
OB2136内部采用自举技术，仅需一个直流电源，就可以实现对六路功率MOSFET或IGBT的最优驱动，可有效降低电路的设计和提高系统的可靠性。
OB2136内置防止直通和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。内置的UVLO保护功能，能防止功率管在过低的电压下工作。内置的噪声滤波器，使之有很好的噪声抑制能力。此外还集成了过流保护和使能关断功能，异常情况下能同时关断六通道输出。
OB2136应用框图
OB2136优势特点：
- 悬浮绝对电压：+650V
- 电源电压范围：10V to 20V
- dv/dt抑制
- 输出电流：+0.6A/-1.0A
- 3.3V/5V输入逻辑兼容
- VCC/VBS内置钳位
- VCC欠压保护（UVLO:8.4V/7.5V）
- 高低端通道匹配
- 输出与输入同相
- 集成使能六通道关断
- 过流保护六通道关断
- OTP保护六通道关断
与国外进口IC基本参数对比发现，OB2136可以兼容替代IR2136或FAN73892。但需要注意以下几个OB2136优化设计的地方:
- OB2136驱动电流更大，调整驱动电阻可以驱动更大的MOSFET或IGBT
- OB2136的HIN/LIN输入是正逻辑，IR2136的HIN/LIN是负逻辑
- OB2136 RCIN端内置5V电源，无需外接电阻到VCC端
OB2136主要参数对比
OB2136应用场合包括:
OB2136应用场合
设计注意事项:
设计注意事项
- C1：电源滤波电容，依据应用情况可以选择0.1uF~10uF
- R： 栅极驱动电阻，阻值依据驱动器件而定
- DBS：自举二极管，应选择高反向击穿电压（>600V），恢复时间快的二极管
- CBS: 自举电容，应选择陶瓷电容或钽电容，具体容值依据实测结果设定