包括欧美在内的很多国家，都知道掌握核心科技的重要性，谁能掌握前沿的科学技术，就意味着能拥有更多的话语权。 毫无疑问，芯片已成为目前各地区公认的科技利器，其广泛的应用范围，再加上芯片产业本身带来的经济效益，让美国在芯片上压下了大筹码。
让美国没想到的是，虽然芯片断供初显成效，波及到了不少企业对芯片的需求，但这依然无法改变国内企业自研芯片的决心。
很多人都知道，目前台积电和三星掌握着5nm及以下工艺制程的芯片制造技术，并拥有超过70%的全球芯片产能。 反观国内，目前14nm芯片还未量产，不少人就开始着急了，我们什么时候才能有自己的5nm芯片呢？
与此同时，围绕光刻机、刻蚀机、芯片材料、芯片技术等方面的顾虑，足以表明，大家都看到了芯片的重要性。
不过，正如美国一样，很多人都忽视了一个细节。 芯片并不是一个单纯的产品，从功能、工艺、性能、用途等方面，芯片都可以分为很多种类。
高端芯片虽然很重要，但依然无法代表芯片产业的全部。
就以常见的CPU芯片、储存芯片为例，近日国内的长江储存就传来好消息，综合性能远超国际巨头，让美国始料未及。
长江储存成立于2016年，这家成立不到5年的企业，成为了在半导体产业上的一匹黑马。
就在很多企业都一门心思地提高芯片工艺制程时，长江储存将研发的重心，放在了储存芯片上。
对于一台电子设备，除了核心的CPU芯片会影响整体的运算性能之外， 设备对数据的读取速度，也将直接影响设备的整体性能。
就像一台大功率的抽水机，要想将功效发挥到极致，还需要配有合适粗细的水管。 储存芯片就像这根水管一样，成为让CPU芯片大展身手的关键因素之一。
在过去的数十年中，储存芯片领域，几乎听不到中企的名字。 三星、美光、海力士三家企业，以其多年的技术积累，在储存芯片领域形成了“三足鼎立”的局面。
近日， 长江储存公布了其最新的3D NAND闪存芯片技术，借助这种新技术，长江储存超越三星、美光和海力士，率先实现了128层堆栈闪存芯片，使得这种储存芯片的储存密度，达到了8.48Gb/mm。
储存芯片与CPU芯片类似，单位面积的储存密度越大，意味着储存芯片的性能越好。高效率的数据读取与储存，将使得设备的性能，得到很大的提升。
如果这样还不能凸显长江储存3D NAND闪存芯片技术的优势，再看一组数据。
以过去储存芯片的三巨头为例，三星、美光和海力士分别能达到的最高储存芯片密度分别为：6.91Gb/mm、7.76Gb/mm、8.13Gb/mm。 从数据中就能明显看出，长江储存在技术上，已经超越三巨头，成为储存芯片领域的领头羊。
随着半导体技术应用场景的加深，包括储存芯片在内的很多芯片产品，应用范围和体量也会越来越大。 2020年，国内进口储存芯片超过6600亿元，全球储存芯片的市场规模，也有望在2023年，突破2000亿美元。
从另外一组数据中，我们也看到， 长江储存发布的Xtacking晶栈架构闪存工艺的良率已经达到了99.999%。这意味着，长江储存的闪存芯片技术，不仅是停留在图纸上和实验室内，而是已经走向市场。
高端芯片很重要，EUV光刻机也很重要，但千万不要为了这块硬骨头，让半导体产业的发展“偏科”。
芯片产业的发展不可一蹴而就，更不能顾此失彼，长江储存就给出了很好的示范。 对于半导体科技企业而言，除了在芯片工艺制程上下功夫，也应该在芯片产品的多样化上有所考量。
就以储存芯片为例，如果不是长江储存逆势而上，可能很多人根本就不了解这个细分领域。
三十年河东三十年河西，随着越来越多类似长江储存等企业逐步为世人熟知，这些新技术，也算是给美方的一记响亮耳光。
自研技术要的就是稳扎稳打的耐心和坚持不懈的决心，长江储存还没有达到终点，在自研技术的这条路上，我们没有退路。 相信要不了多久，国产芯片技术会迎来更多突破，带领更多行业快速前行。