集邦咨询最新的一份报告指出，去年10月，美国商务部对中国实施新的禁令，不允许进口18nm及更先进工艺的DRAM内存芯片制造设备，对于厂商的布局也产生了深远影响。
SK海力士位于无锡的工厂虽然获得了一年的宽限期，但考虑到未来风险，以及市场需求疲软，SK海力士选择在2023年第二季度将无锡工厂的月产能削减30％。
SK海力士原计划将无锡工厂的制造工艺从1Ynm升级为1Znm，并减少“成熟工艺”的产能。
但在美国禁令发出后，SK海力士选择了提高21nm成熟工艺的产能，并专注于DDR3、DDR4 4Gb颗粒的生产，满足中国内地市场和全球成熟工艺消费级内存市场的需求。
DDR3、DDR4 4Gb颗粒产能目前仍占SK海力士消费级内存芯片出货量的接近30％。
同时，南亚、华邦、力晶等台系厂商也都在供应DDR3 4Gb，工艺都在20nm左右；南亚则还在大规模供应DDR4 4Gb。
集邦咨询还分析了整个消费级内存市场的趋势，特别指出 尽管各家都在减产，但因为库存量太大，整体仍然供过于求，预计2023年第二季度消费级内存还将降价10-15％。
从长远来看，SK海力士无锡工厂扩展成熟工艺，又会进一步增加供应压力，使得消费级内存市场的反弹更加困难。
另一大存储巨头三星电子近日公布了正式的一季度财报，营业利润为6402亿韩元，较上年同期的14.12万亿韩元下降95%；营收下降18%至63.74万亿韩元；净利润为1.57万亿韩元，同比下降86.1%。
其中，三星电子在第一季度的芯片业务亏损额高达4.58万亿韩元（约合人民币236亿元），这也是三星半导体业务14年来的首次亏损。
据《韩国先驱报》（The Korea Herald）报导，三星在一季度财报电话会议上再度表示，将开始削减存储芯片产量，但仍未具体说明减产规模。
但据韩国分析师预计，三星预计最多将削减高达25%芯片产量以缓解库存问题，这相比之前外界曝光的减产幅度大幅提高。
据Daishin Securities分析师Wi Min-bok最新预测，与去年同期相比，三星今年上半年减产幅度可能介于20～25%之间。
KB Securities则估计，三星4～6月期间NAND Flash产量将比同期下降15%，DRAM产量将从第三季度开始下降20%以上。
值得注意的是，去年下半年，铠侠、美光等存储芯片大厂已经相继宣布了减产计划，SK海力士似乎也在进行减产，并将今年的资本支出削减了50%。
无独有偶，SK海力士一季度同样报亏3.4万亿韩元，而作为另一大顶级原厂之一，美光已经扛不住了。
据DT报道，业内人士透露，美光已经通知客户，5月份开始，将不会考虑任何低于当前DRAM/NAND报价的订单，请悉知。
这意味着，除了减产，美光已经打出了遏制SSD/内存降价的最后一张底牌，甚至宁愿牺牲订单和市场。
还不清楚这样的选择会带来怎样的后果，至少看起来并不明智，因为美光远非市场垄断者，硬碰硬的做法或让自己得不偿失。
