目前国产芯片与世界先进芯片差距 (国产芯片成功打破外国专利壁垒)

近年来,随着不断加剧的中美贸易冲突,我国越来越多的企业意识到了自研科技的重要性,尤其是 华为在遭受美国多轮重大*压打**后依然坚挺的现象更是进一步明确了众多企业在未来加大科技投入的决定 ,我国许多行业也都因此迎来了崭新的发展阶段,在这其中,半导体行业显然是人们作为关心的一个。

芯片国产芯片哪个最好,目前国产芯片与世界先进芯片差距

随着5G网络布局的逐渐完善,物联网时代已然到来,越来越多的智能产品开始出现在我们的生活中。在这其中, 芯片作为智能产品的“大脑”,自然备受关注 。但我国由于科技起步较晚,加上之前对于芯片这种商业化应用较高的科技产品研发的不重视,导致在美国为*压打**我国擅自修改半导体供应链法则后,以华为为代表的众多科技企业先后陷入重大危机中。

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不过机遇总伴随着危机的出现,随着我国越来越多企业陷入半导体困境之中,我国芯片也传来越来越多的好消息,不断获得重大突破,比如 蚀刻机的成功制造、龙芯架构的成熟应用等一系列成就不仅改变了我国困局,甚至为世界半导体发展提供了重要的突破路径

而就在前不久,由 *京大南**学王欣然教授 带领的科研团队再度在芯片制造上获得重大突破,在芯片摩尔极限定律突破的赛道上走在了世界前列,成功将别人甩在了身后 。那么王欣然教授团队究竟做出了怎样的突破呢?

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众所周知, 如今的芯片几乎采用的都是硅基材料 。也正是因此,业界提出了摩尔极限定律,即发展到一定程度后将会达到极限。如今随着越来越多企业进入3nm以下工艺制程芯片制造研究后,无疑这一极限已经无限逼近。为此,世界各国都在积极寻求新的突破方法,二维半导体就是其中最为重要的思路,而 王欣然教授此次的突破也正是在二维半导体技术方面,直接使中国领跑全球。

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所谓的 二维半导体其实就是将传统的硅基材料用类似于石墨烯这样具有缝隙结构的材料进行替代,从而给予芯片更大的性能提升空间 。据悉,截止目前为止,全球已经在二维半导体方面先后研究试验了数十种材料,但都没有获得什么突破性成就,直至最近*京大南**学王欣然教授团队以 蓝宝石 为基础,使得二维半导体迎来关键性突破。

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在蓝宝石的应用下, 王欣然教授团队成功制备了 2英寸的MoS2单晶薄膜 为基础的场效应晶体管,并且顺利得到应用 。在相关实验中,人们发现该场效应晶体管各项指标都达到了世界领先水平,综合实力更是全球第一, 直接将芯片的性能提升了200% 。也就是说继我国在量子领域领军全球后,在二维半导体领域同样如此。

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并且更令人兴奋的是,王欣然教授团队还表示此项技术其实不仅仅局限于蓝宝石可以应用,其他材料也同样可以。那么这也就意味着未来该项技术将有更多的突破。除此之外 ,MoS2薄膜晶体管驱动技术在与Micro-LED显示芯片技术相结合后发现,在显示领域同样获得了重大突破 。也就是说王欣然教授团队MoS2薄膜晶体管驱动技术完全可以得以应用, 在未来有很大的可能成为主流芯片技术。

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其实不仅仅是*京大南**学的王欣然教授在二维半导体上取得了重大突破, 北京大学的叶堉研究院同样在二维半导体研究上取得了巨大成就。 不难看出,我国半导体行业研究如今已然呈现出一片欣欣向荣的景象,不论是新突破的技术层面,还是老的技术研究上,都在有条不紊并且加速进行着。但我们也不能够掉以轻心,毕竟在光刻机等方面我国依然面临着重大限制,这也是阻碍我国当下整体发展的重要绊脚石,切不可因为其他成就就忽视了当下难题。但我们也必定能够顺利攻破,实现真正地全面的半导体全球第一。

国产芯片性能提升了200%?*京大南**学攻克技术难关,达到顶尖水平

*京大南**学弯道超车,以蓝宝石为基础,实现芯片的关键性突破