兆易创新存储芯片 (兆易创新mcu研发能力)

NORFlash

2004年,朱一明成立美国技佳公司,带着自己研发的一款应用于静态随机存取存储器(SRAM)领域的高速静态存储器模型,赢得10万美元投资。

2005年,在清华校友薛军建议下,朱一明回国成立芯技佳易,与武汉新芯、镇江隆智等都将目光放在了闪存NOR Flash上。

2010年,在*华帮清**的帮助下,芯技佳易熬过了金融危机,改名为兆易创新。成为了闪存领域的“中国第一”和“中国唯一”。

兆易创新各类存储芯片占比,兆易创新mcu市场份额

兆易创新是世界第三大NOR Flash厂商,其产品代工在武汉新芯、中芯国际、华力微和无锡华虹。

随着美光、Cypress等国际巨头退出市场,而旺宏、华邦电子受制于IDM模式,增量不到9%。兆易创新利用其Fabless优势,选择在2018年大幅扩产高容量NORFlash。兆易创新Flash近十多年累计出货量已超100亿颗。

2023年,兆易创新展出了业界超小尺寸FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,以及车规级GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列产品。

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MCU

2021年全球Top10 MCU厂商榜单中,兆易创新位列第八。兆易MCU工业类客户应用的占比已接近GD32年用量的一半,产量从1亿颗做到10亿颗仅花了4年时间。

兆易创新GD32 MCU是中国高性能通用微控制器领域的领跑者,拥有中国最大的Arm架构MCU家族,产品涵盖Arm® Cortex®-M3、M4、M23、M33等内核通用MCU产品系列,已实现对低/中/高端产品的覆盖。

2013年4月,兆易创新推出首个基于ArmCortex-M3内核的32位MCU,打破了欧美厂商垄断。

2022年9月份,公司推出基于Arm Cortex-M33内核的首款车规级MCU——GD32A503。GD32A503系列MCU完整采用兆易创新自主研发的IP库设计。兆易创新还重点展示了一系列基于GD32A503车规级MCU解决方案,包括LED流水转向灯和车用电机控制方案等。后续产品研发方向将持续朝着ADAS、域控制器或协处理方面等高端车规领域迈进。

兆易创新各类存储芯片占比,兆易创新mcu市场份额

2023年,兆易创新展示了藉由GD32F427的交直流EV-charger主控板方案,以及基于GD32E230设计的汽车7.5KW交流充电桩方案

2023年兆易创新展出了中国首款采用Cortex®-M7内核的GD32H7系列超高性能MCU和应用参考设计。不仅实现性能的大幅提升,外设资源也进行了大幅扩容,模拟性能也得到空前提升。

兆易创新基于开源指令集架构RISC-V内核的全新combo GD32VW553系列无线MCU首次亮相。的GD32VW553系列开发板模拟智能家居设备,支持手机蓝牙配对接入Wi-Fi网络,并通过Matter协议控制灯的开关和亮度调节,在手机APP上实时显示设备状态。

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DRAM

2016年,合肥产投与兆易创新公司合作投资1500亿元建设合肥长鑫,填补国内DRAM制造空白。曾经的DRAM技术领军企业德国奇梦达是公司最初的技术来源之一。2009年奇梦达因经营问题破产,其尚未投入量产的堆叠式电容等新技术后来被业界广泛使用并发展。公司从处置其资产的管理机构收购了大量技术文件,并在此基础上自主研发,更新换代。

2017年,兆易创新与合肥产投共同投资长鑫存储,开展“19nm存储器的12英寸晶圆存储器研发项目”,其中包含DRAM研发。合肥产投、兆易创新按照4:1的比例筹集资金。

2019世界制造业大会上,CXMT就展示了与世界主流产品同步的8Gb DDR4。合肥长鑫DDR4内存的量产,兆易创新的加持,是国内唯一的DRAM厂商。兄弟企业紫光南京生产依靠力晶,福建晋华遭到制裁还在停摆。

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2020年5月,长鑫存储成为睿力集成的全资子公司。2020年11月,兆易创新增资睿力集成,占睿力集成的股权比例为14.08%。本次增资完成后,石溪集电(朱一明为股东)持有睿力集成的股份38.59%;长鑫集成的持股19.72%,而三重一创、跟进投资人、合肥集鑫企业管理合伙企业(有限合伙)也分别持有睿力集成14.08%、11.27%、1.41%、0.85%的股份。大基金二期参持有睿力集成14.08%的股份。后来阿里腾讯两家云厂商同时入股,合肥长鑫很有前途。

兆易创新携手合肥产投布局DRAM,若成功达成规划进度,合肥长鑫将成为继国际三寡头之后,全球第四家量产20nm以下DRAM的公司。

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2020年底,长鑫存储的DRAM芯片通过了高通、海思、联发科、展锐等主流芯片厂商多款芯片的认证,兆易创新从这一年开始代销长鑫存储的DRAM产品。兆易创新自有品牌DRAM也在2021年6月推出。长鑫DRAM产品的投产将和兆易flash产品形成双剑合璧。2021年,兆易创新推出了首款自研4Gb DRAM,采用的是19nm制程工艺。

CXMT还签约了长鑫集成电路制造基地,该基地不但有1500亿元的存储单体项目,此外还将投资700亿元建设空港集成电路配套产业园和空港国际小镇。其中,空港集成电路配套产业园围绕CXMT布局芯片设计、装备、材料、封测和智能终端等上下游产业配套,总投资超200亿元。

长鑫12寸三期建设三座12寸DRAM存储器晶圆厂,预计三期满产后产能可达36万片/月。对比一下三星在西安的nand厂,现在总产能25万片/月12寸晶圆。目前合肥长鑫2021年产能已6万片/月,预计2022年达到12万片/月。市占率有望接近3%。主力产品是19nm制程的DDR4、LPDDR4。17nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存,正在加紧研发。

兆易创新各类存储芯片占比,兆易创新mcu市场份额

兆易创新的DRAM大家整体还是比较担心研发进度,而且担心产品出来之后,之前的寡头三星、海力士和镁光等会进行降价打击,导致利润不好。目前来看,三星这些,都需要在这一波DRAM上涨周期中赚钱来补贴晶圆代工,而且现在DRAM用量将在手机之后,出现AloT和VRAR上用量更多,因此这一波DRAM可能会让兆易有超预期的收入。

但兆易创新DRAM业务目前还处于起步阶段,其营收和利润占公司整体营收、利润的比重很小。

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模拟芯片

兆易创新进军模拟芯片,瞄准电源芯片,推出电源管理产品组合:

ØGD30LD3300/3301高精度、低噪声、大电源LDO;

ØLDOGD30WS系列PMICGD30SP系列保护芯;

ØGD30DR系列马达驱动芯片GD30BC系列充电芯片。

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