【前言】
大家好，这里是小鱼。我们在上一周讲了闪存颗粒的类别以及特性，Flash作为闪存颗粒其实是一个比较成熟的技术了，而技术是不断发展的，那么当闪存颗粒因为成本、因为容量、因为产量等等原因受限时候，有什么办法可以达到更大容量更快速度呢？3D结构出现了。因为固态主要介质是闪存的原因，本篇主要说的是闪存。
【3D堆叠】
与很多技术一样，3D闪存堆叠技术在很久以前就被提出，但是总会延迟很久才会在消费市场上展现，究其原因，还是因为成本与产量等问题得不到合适的妥协。
2007年，BiCS技术被提出，其中就有我们关注的多堆叠栅极层结构
2009年，金属栅极三位闪存技术（TCAT）被提出来。
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专业的的东西我们就不讲了，BiCS和TCAT如果展开讲，我们可以另外写本书。只能给大家讲，他们的特性是不一样的，BiCS为多晶硅栅极，而TCAT为金属栅极；二者相对而言，前者比后者编程/擦除窗口更宽，二者制造工艺流程是不一样的。
与二维平面闪存相比，TCAT更加稳定可靠并且性能更加优越，相互干扰降低了，可擦写寿命也提升了不少，相当于原来住的是小平房，现在不用小平房换为多层楼房。编程时间和擦写的偏移也减小了。
随后，3D堆叠内存从24层开始，32层、48层、64层更是连续投产。三维闪存的存储密度在一代代翻倍。但是3D堆叠有什么弊端呢？
1.随着数目增加，提供给传感运放的型号更微弱。这就相当于，以前住小平房顺着门牌号找很方便，但是现在楼房要深入到每一层，找的难度大大增加。
2.单元模具厚度减小。随着一代一代数目增加，会和多层楼房一样出现拥挤问题，拥挤会出现什么问题呢？就好比你原来住平房在自己院子里，只要不大吵大叫，跑个步都行，但是你住楼房5楼，一跑步或者怎么样，楼下就可以听到。隔音差一点别说楼下，吵个架整栋楼都能听到。这就好比单元模具减小，相互之间收到干扰可能性更大。
【技术之外】
我常常对其他人说，技术只有和成本产量妥协时候，才是作用最大的时候，就比如闪存技术在三十年前就提出了，但直到千禧年左右仍然是土豪俱乐部的玩具。而3D堆叠技术快速地把二维技术挤出市场的同时，也积极挤占了机械硬盘的市场。从2013年固态再闪存市场的23%份额增长到了43%，而240G固态盘平均价格也由800元跳水到了200到300元。正如那句话所说，种出粮食的不是英雄，让人吃得起饭的才是英雄。让一个普通人用得起的固态，而且质量还过得去的，才是真正意义的好固态。