1场效应管的分类
"MOSFET"是英文Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是"金属氧化物半导体场效应管"。它是由金属、氧化物(SiO2)及半导体三种材料制成的器件。属于场效应管的一类，MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道型。在这里也介绍一些另外一种场效应管，结型场效应管（JFET），JFET是一种单极的三层晶体管，它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于一种载流子电子或空穴的运动。
场效应管的分立
2 MOS的原理
绝缘栅型场效应管（MOS管）的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管，)它是利用UGS来控制"感应电荷"的多少，以改变由这些"感应电荷"形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道。即使在VGS=0时，相当于两个背靠背的二极管，在D-S之间加上电压也不会有电流流过，MOS管关断。当栅极电压Vgs大于阈值电压Vgsth时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之增大，漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化，当Vgs小于Vgsth电压，相当于沟通还没完全导通。
符号 内部结构
一个重要的参数是跨导gm，反应栅极电压对漏极电流的控制
输出特性曲线 转移特性曲线
N沟通耗尽型，就是栅极下面SiO2氧化物中掺杂了很多金属正离子，当Vgs=0时，已经感应出反型层，形成沟道，漏极电流可以流通。
P型的MOS和N的MOS工作原理基本一致，只是导电载流子不同，供电电极刚好相反
3 MOS管的重要参数
VDSS 最大漏-源电压
在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。VDSS是MOS管的重要参数，在实际应用中，实际测试的MOS管最大的Vds电压应该小于90%的VDSS，保持充足的电压余量。
VGS 最大栅源电压
VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
ID - 连续漏电流和漏源极导通电阻Rdson
ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数和温度有大的关系。Rdson是Coolmos或者superjunction MOS的导通是的漏源极之间的电阻，这是个动态值，但是一般规格书都是额定条件下测试出来的，为什么coolmos要特出Rdson，只要是Cool的Rdson比普通MOS要小很多，而且计算通过电流时，主要还是根据导通阻Rdson抗来计算的得来的，MOS导通损耗可根据Rdson来计算
Ciss和Coss，Crss输入，输出和跨导电容
这些电容影响MOS的开关速度，影响MOS开关损耗
EAS - 单脉冲雪崩击穿能量，EAR - 重复雪崩能量
单脉冲雪崩击穿能量雪崩击穿能量标定了MOS可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。重复雪崩能量标定了MOS所能承受的反复雪崩击穿能量。
MOS管规格书中的参数
3 MOS管应用
MOS管可以用各种电子设备中，可以说没用MOS管，就没有现代电子设备，下面我们简单介绍一下MOS的应用。
在开关电源中作为功率开关器件，可以进行能量传送，这种MOS对Vds，Rdson和Ciss和体内二极管都要比较高要求，LED电源，电脑适配器，通信电源，服务器电源，充电桩，车载电源等等
作电平转换用，在信号传输过程中有电平转换，需要用到信号MOS，这种MOS对Id要求不高电脑主板，手机主板
逻辑转换，主要应用在集成IC中
