大概在20年前，美国IBM公司的实验室就率先对MRAM（Magnetic Random Acsess Memory）存储器展开了研发工作，并在第一代astroid-MRAM和第二代STT-MRAM的研发中取得了多项突破，且为MRAM以后的发展起到了巨大的帮助。当前，业内某些人士亦断言，下一代存储器产品很有可能是MRAM。
据维基百科介绍，MRAM是一种非易失性内存技术，从上个世纪90年*开代**始发展。该技术的拥护者们认为，这个技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM存储器，平均能耗远低于DRAM，成为真正的通用型内存（Universal memory）。
近年来，包括三星、格罗方德、台积电、SK海力士等半导体制造大厂也在加速布局STT-MRAM。当前，国际上有超过20家美、日、韩、中国台湾等公司致力于研发MRAM产品。
2月21日，来自路透社的消息称，SK海力士周四表示，公司计划投资120万亿韩元（约1067亿美元）用于在韩国新产业园区建设四座半导体工厂。
“从2022年开始，我们将投资120万亿韩元在10年里建设新的半导体工厂。这将是一项长期的投资计划，具体细节将会随市场情况而变化。”SK海力士发言人称。
SK海力士在当前的存储器产品主要有DRAM和NAND Flash，从海力士已经公布出来的2018年财报数字来看，该公司的营收中，有80%来自DRAM，NAND Flash则只占到了18%。由此可知，SK海力士当前主营DRAM存储器。一旦DRAM产业呈现下滑趋势，获利来源单一将导致风险明显增大。值得一提的是，近段时间来，DRAM价格一直下行。根据TrendForce存储器研究（DRAMeXchange）调查，2019年上半年，DRAM产业仍然供大于求，因而导致价格持续下降。所以，SK海力士可能急需找到一个新的营收增长点以摆脱目前DRAM市场不太景气的困境。
目前，SK海力士计划新建的四座半导体厂，一部分是用来扩充产能，另外是用来存储技术的升级。业内人士认为，SK海力士下一代存储器产品很可能是MRAM。SK海力士在2008年就获得了Grandis MRAM的专利授权，并开始涉足STT-MRAM。为了加快MRAM纳入存储器产品组合中的步伐，SK海力士随后宣布与三星、东芝等公司合作。到了2016年，SK海力士联合东芝开发出了4G STT-MRAM芯片样品。而时隔三年后，SK海力士MRAM技术想必也有不少进展。
随着制造成本下降以及其他存储技术面临可扩展性挑战，嵌入式 MRAM 正获得更多消费性产品的关注。重要的是，随着新工艺技术的发展，SRAM单元的尺寸不会随着剩余的工艺而缩小，基于此，MRAM变得越来越有吸引力。
随着存储产业朝向更小的节点转变，在技术上面临着严峻的可扩充性挑战。MRAM除了被视为能够取代传统存储芯片 DRAM和NAND的候选人以外，还被视为一项充满吸引力的嵌入式技术，可以替代闪存和嵌入式SRAM。