南大光电龙头企业 (南大光电与强力新材)

证券代码：300346 综合评级：A

·简介： 成立日期：2012年；办公所在地：江苏苏州；

·名词释义：

1、MO源： 即高纯金属有机化合物，或叫化合物半导体微结构材料，是先进的金属有机化学气相沉积(简称 MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的支撑材料，通常纯度应达到99.9999%（6N）以上。在生产氮化镓、砷化镓等化合物半导体时，需要使用挥发性的金属有机化合物作为原料，以蒸气的形式引入相应的金属元素，让半导体材料沉积生长到衬底上，比如镓的原料是三甲基镓、三乙基镓。这些原料要求极高的纯度，但本身易燃、有毒、对氧气和水高度敏感，制备提纯的难度大。MO源最大的应用领域是LED，在功率半导体、射频芯片、光伏等行业中，MO源也有不可或缺的作用。

2、半导体前驱体： 半导体前驱体是集成电路制造中ALD和CVD薄膜沉积工艺中使用到的一种重要介质，是用于形成符合半导体制造要求的各类薄膜层的核心原材料，根据形成薄膜的材料属性划分，可以分为硅前驱体和金属前驱体；根据集成电路晶圆制造工序划分，可分为高K前驱体和低K前驱体两类。

3、砷烷、磷烷： 高纯电子特种气体，通常纯度应达到99.9999%（6N）以上，为大规模集成电路制备中的主要支撑材料之一。公司磷烷、砷烷产品分为高纯类及安全源类，高纯类主要用于LED行业，安全源类主要用于IC行业，二者纯度和装载方式不同。

4、ArF光刻胶/193nm光刻胶： 光刻胶及配套材料是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。ArF光刻胶/193nm光刻胶是先进集成电路芯片制造的关键材料。集成电路制造技术节点发展至90nm以下，对分辨率的高要求使得光刻技术应用193nm准分子激光的照明光源，而ArF光刻胶在193nm光源下有较高的透明性和抗刻蚀性等，可以广泛应用于各种高端IC芯片的生产制造。ArF光刻胶及配套材料项目所需的光刻车间和生产线已建成，其中主要先进光刻设备，如ASML浸没式光刻机已经完成安装并投入使用，搭建了专业用于ArF光刻胶产品开发的检测评估平台。

5、三氟化氮： 在微电子工业中作为一种优良的等离子蚀刻气体，在离子蚀刻时裂解为活性氟离子，这些氟离子对硅和钨等化合物，具有优异的蚀刻速率和选择性（对氧化硅和硅）。它在蚀刻时，在蚀刻物表面不留任何残留物，是非常良好的清洗剂，对生产设备腔体的清洗起着良好的作用，在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的运用。

6、六氟化硫： 是一种无色、无臭、无毒、不燃的稳定气体，具有良好的电气绝缘性能及优异的灭弧性能，是一种优于空气和油的新一代超高压绝缘介质材料。六氟化硫以其良好的绝缘性能和灭弧性能，应用于断路器、高压变压器、气封闭组合电容器、高压传输线、互感器等。电子级高纯六氟化硫也是一种良好的蚀刻剂，被大量应用显示面板、半导体加工过程中的干刻（Etch）和腔体清洗。

·业务占比： 特气75.58%（毛利率48.88%）、MO源13.47%（毛利率40.1%）、其他10.96%；出口占比：10.99%；

·产品及用途：

1、MO源： 三甲基镓、三甲基铟、三乙基镓、三甲基铝，MO源系列产品（包含十余种产品，以表中四项产品为主）是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等产品的核心原材料。在MO源的合成制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平，产品纯度大于等于6N，可以实现MO源产品的全系列配套供应及定制化产品服务。目前90%以上的MO源都被用来生产LED外延片，外延片生长为LED产业链中技术难度最大、附加值最高的环节。此外，MO源逐渐进入新一代太阳能电池领域如非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池等；在相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等其他高科技领域也逐步开展应用。

2、半导体前驱材料： 正硅酸乙酯（TEOS）、三甲硅烷基胺（TSA）、六氯乙硅烷（HCDS）、二异丙胺硅烷（DIPAS）、三甲基铝（TMA），前驱体材料是半导体薄膜沉积工艺的核心原材料，半导体薄膜沉积工艺是半导体制造的三大核心工艺之一。公司有7款前驱体材料通过客户验证，具备稳定供应的能力。通过对前期引进的硅前驱体专利技术的消化、吸收和进一步研发，已有4款硅前驱体产品进入国际先进制程企业验证。目前，公司已在02专项研发经验的基础上进一步研发和产业化多种前驱体材料，在品类上已覆盖晶圆制造所需的硅前驱体/金属前驱体、高K前驱体/低K前驱体的主要品类，并成功导入国内领先的逻辑芯片和存储芯片量产制程。

3、电子特种气体：

（1）氢类电子特气

公司氢类电子特气主要包括磷烷、砷烷等，磷烷和砷烷为高纯特气家族中技术门槛和开发难度最高的两个品种，作为半导体、LED、光伏、航天和国防事业的关键原材料，长期被海外技术*锁封**。其中磷烷是半导体器件制造中的重要N型掺杂源，其可用于多晶硅化学气相沉淀、外延GaP材料、离子注入工艺、MOCVD工艺、磷硅玻璃钝化膜制备等工艺中。砷烷主要用于外延硅的N型掺杂、硅中的N型扩散、离子注入、生长砷化镓和磷砷化镓。

（2）含氟电子特气

产品主要有三氟化氮、六氟化硫及其副产品，含氟电子特气是应用于微电子工业（如集成电路、平板显示、太阳能薄膜等）的一种优良等离子蚀刻和清洗材料，其中三氟化氮广泛用于大规模集成电路、平板显示、薄膜太阳能的生产制造，六氟化硫广泛应用于输配电及控制设备行业，高纯六氟化硫可用于半导体材料的干法刻蚀清洗。

4、光刻胶及配套材料： 光刻胶及配套材料是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。公司光刻胶研发中心具备了研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的能力，能够实现从光刻胶原材料到光刻胶产品及配套材料的全部自主化。控股子公司宁波南大光电负责组织实施“ArF光刻胶开发和产业化项目”， 研发的产品成为国内通过客户验证的第一只国产ArF光刻胶，标志着国产先进光刻胶产业化取得关键性的突破。 目前已在下游客户存储芯片50nm和逻辑芯片55nm技术节点的产品上通过认证，同时多款产品正在多家客户进行认证。

·销售模式： 直销（86.3%）为主，经销（13.7%）为辅；

·上下游： 上游采购镓、铟、气体原料、气体容器等，下游应用至半导体、平板显示、薄膜太阳能等领域；

·主要客户： 前五大客户占比42.24%；

·行业地位： 三氟化氮品质已达到5N的国际先进标准，产能位列全球第三

优势。如在磷烷、砷烷领域，南大光电的高纯磷烷、砷烷产品已实现自主可控并已占据市场主要份额；在含氟电子特气领域，国内厂商已经是国内三氟化氮市场的主要供应商；

区域的少数几个公司拥有产业化生产的能力。根据QY Research的报告，

1、MO源： 2019年南大光电为全球MO源市场占有率接近30%，国内第一、全球第二；

2、含氟电子特气领域： 目前三氟化氮产量位居国内前茅，三氟化氮、六氟化硫产品已向台积电、中芯国际、京东方等全球领先厂家批量供货；

3、光刻胶： ArF光刻胶产品成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，已在下游客户存储芯片50nm和逻辑芯片55nm技术节点的产品上取得了认证。

·竞争对手：

1、半导体前驱： 一类为国际化大企业，如德国Merck、法国Air Liquide、美国Entegris、美国Gelest、荷兰Nouryon等；一类为韩国专注半导体材料的公司，主要有SoulBrain、UP Chemical和DNF等。国内雅克科技于2016年通过收购韩国UP Chemical进入该领域，南大光电、安徽博泰电子材料、合肥安德科铭半导体等也已实现半导体前驱体产品的销售；

2、MO源： 2019年全球最主要的MO源生产企业有SAFC Hitech、南大光电、Nouryon等，三家公司合计市占率约为75%，国内企业已经成为全球MO源主要生产厂商。 国内竞争对手包括： 江西佳因光电材料、雅克科技、厦门恒坤新材料、中巨芯科技。

3、光刻胶： 根据富士经济统计，2019年合成橡胶（JSR）、信越化学、东京应化以及住友化学占据全球ArF光刻胶82%的市场份额（2018年为70%），分品类来看，日本厂商在ArF、KrF、g线/i线胶市场中市占率分别为93%、80%、61%，其在高端市场中展现出极强的控制力，其他日本厂商包括富士胶片。国内：上海新阳、晶瑞电材、北京科华微电子（被彤程新材收购）、容大感光等；

4、电子特种气体： （1）国外：德国Linde Group、法国Air Liquide、美国Air Products、日本大阳日酸、韩国SK Materials；（2）国内：华特气体、金宏气体、雅克科技、正帆科技、中船重工718所（派瑞特气）、昊华科技（三氟化氮、四氟化碳、六氟化钨）、中巨芯科技（高纯氯气、高纯氯化氢、高纯六氟化钨、高纯氟碳类气体）；

·行业核心竞争力： 1、产品性能指标；2、规模与成本优势；3、客户忠诚度；

·行业发展趋势：

1、传统MO源市场容量较小，增长稳定： 根据Markets and research.的数据，2019年全球MO源市场规模在1.1亿美元左右，预计到2025年，全球MO源市场规模将达到1.8亿美元，2021-2026年复合增长率为8.3%。

2、新兴领域或带动MO源市场带来增量： LED行业目前已暂别高速增长阶段，小间距LED（Mini LED和Micro LED）有着广阔的发展空间，该显示技术具有无拼缝、显示效果好、使用寿命长等优势，且近年来成本下降较快，形成对传统显示的替代趋势。据Arizton预测，2020-2024年，全球Mini LED市场规模有望从0.47亿美元上升至23.09亿美元，复合增长率达164.12%；另一方面，随着光伏PERC技术、VCSEL激光、化合物半导体等新型应用的崛起，MO源还被应用于新一代太阳能电池，薄膜非晶硅太阳能电池，相变存储器，半导体激光器，射频集成电路芯片及其他化合物半导体领域，为MO源行业的发展带来新的动力。

3、国内半导体前驱体增长速度较快： 据恒州诚思调研统计，2021年全球半导体用前驱体市场规模约126亿元，预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2028年市场规模将接近238亿元，未来六年复合增长率为9.4%。根据QYResearch数据，2021年中国半导体前驱体市场规模达到5.9亿美元，预计2028年将达到11.56亿美元，年复合增长率预计为 10%。

4、在半导体材料国产替代趋势： 目前日本占据主导地位，中国半导体材料自给率仅为10-15%（SEMI的统计数据），高端产品仍与国际竞争对手存在较大差距，“卡脖子”问题较为严峻。在国际贸易环境不确定性增强的背景下，半导体材料国产替代的战略需求紧迫。

5、电子特气需求增长稳定： 电子特气在半导体制造的材料成本中占比为13%左右，是半导体制造成本中仅次于硅片的第二大材料。根据SEMI预计，至2020年电子特气在半导体材料中的占比将会进一步提高，将超过光掩模成为占比第二大的材料，约占13%，市场规模将达到43.7亿美元。2019年起行业增速将有所回落，未来行业将保持在5%左右的增速。根据前瞻产业研究院数据，中国电子特气2020年市场规模为150亿元，占全球比例约为48%，预计2024年我国电子特气市场规模将达到230亿元，全球占比将提高至60%，2020-2024年复合增速将达11.28%。含氟电子特气作为集成电路制造领域优良的等离子蚀刻和清洗材料，近年来呈现良好的增长趋势，QY Research的统计显示，2021年国内三氟化氮需求量达到约1.6万吨，占全球约40%-42%，预计至2025年，国内三氟化氮市场需求量达到3.7万吨，2030年超过10万吨。

6、光刻胶行业高速增长，国产替代迫切： ArF干式和浸没式光刻胶已成为集成电路制造领域需求量最大的光刻胶产品。根据TECHCET统计，2020年ArF干式和浸没式光刻胶市场规模共计9亿美元占据了48%的市场份额，KrF和g线/i线光刻胶分别占据34%和16%的市场份额。预计至2025年ArF干式及浸没式光刻胶规模预计达到10.72亿美元。其中由于ArF浸没式光刻胶主要用于先进制程中的多重曝光过程，因此其需求量为普通光刻胶的2-4倍。根据TECHCET数据，2021年全球ArF浸没式光刻胶市场规模为7.59亿美元，2025年有望达8.84亿美元，复合增长率达4.4%；由于高端光刻胶的保质期很短（通常只有6个月左右甚至更短），一旦遇到贸易冲突或自然灾害，我国集成电路产业势必面临芯片企业短期内全面停产的严重不利局面，实现高档光刻胶材料的全面国产化和产业化具有十分重要的战略意义和经济价值。

7、磷烷、砷烷增长趋势良好，但是市场容量较低： 根据QY Research数据，全球磷烷、砷烷产能于2028年将分别达到480吨、290吨，复合增长率分别为12.25%、13.59%。国内高纯磷烷产能在2024年将达到212吨，占全球比例为55.79%，至2028年预计将达到292吨；国内高纯砷烷产能2024年将达到160吨，占全球比例为60.38%，至2028年预计将达到180吨。国内磷烷2021年市场规模为10802万元，预计2028年将达到33000万元；国内砷烷2021年市场规模为8412万元，预计2028年将达到15880万元，全球占比将达到38.93%，中国将成为磷烷、砷烷的主要销售地区。

·其他重要事项：可转债募投项目： 1.1亿元用于年产45吨半导体先进制程用前驱体产品产业化项，1亿元用于年产140吨高纯磷烷、砷烷扩产及砷烷技改项目10亿元用于乌兰察布南大微电子材料有限公司年产7200T电子级三氟化氮项目，合计投资14.6亿元（含流动资金），其中使用募投资金9亿元。

·大股东： 持股比例为10.32%；股权质押率：0%

·管理层年龄： 54-61，高管及员工持股： 7.26%

·员工总数： 1293人（+181）：技术215，生产718，销售46；本科学历以上：354；

·人均产出： 2021年人均营收：122.3万元；人均净利润：14.4万元；

·融资分红： 2012年上市， 累计融资（3次）：23.43亿 ，累计分红：2.51亿；

·资产负债表（2022年）：货币资金5.02，交易性金融资产11.48，应收账款4.21（+0.27） ，预付款0.22， 存货4.81（+2.1） ，其他流动资产0.67；其他权益工具投资0.21， 固定资产16.2（+3.2），在建工程2.84 ，无形资产4.25； 短期借款0.92 ，应付账款3.82， 合同负债0.08，长期借款2.62，应付债券（可转债）8.7，长期应付款2 ；股本5.44，库存股0.17，未分利润7.6，净资产21.18，少数股东权益5.17，总资产53.15，负债率50.42%；会计师审计费用：60万元；

·利润表（2022年）： 营业收入15.81（+60.62%），营业成本8.64，销售费用0.7（+52.08%），管理费用2.28（+59.16%），研发费用1.76（+49.72%），财务费用0.19， 其他收益0.89 ，投资收益0.14；净利润1.87（+37.08%）；

·核心指标（2019-2022年）： 净资产收益率：4.6%、6.9%、8.75%、9.3%；每股收益：0.14、0.22、0.26、0.34；毛利率：43.87%、41.09%、43.42%、45.34%；净利润率：17.11%、14.62%、13.84%、11.81%；总资产周转率：0.17、0.24、0.29、0.33；

·预测假设： 营收增长：25%、25%、25%；净利润率：12%、12%、12%；

·营收假设： 2023E：19.8；2024E：24.7；2025E：31；

·净利假设： 2023E：2.4；2024E：3；2025E：3.7；（即达到条件时对应市值，须根据实际数据调整）

·影响公司利润核心要素： 1、产能的释放； 2、光刻胶、半导体前驱体出货量；3、费用控制；

·2024年估值假设： 180-220亿；当前估值假设：120-140亿（基于25%/年收益预期）；价格区间：22-26元/股（未除权、除息）；

· 核心竞争力

1、技术优势

公司拥有丰富的高纯电子材料研发和产业化经验，凭借多年的自主研发和实践积累，掌握了MO源、半导体前驱体材料、氢类电子特气、含氟电子特气、ArF光刻胶及配套材料等高纯电子材料的核心技术和先进生产工艺，先后承担了国家863计划之MO源全系列产品产业化项目及多项国家“02专项”，攻克了多个困扰我国数十年的技术难题，填补了多项国内空白。同时，公司持续技术革新和精益管理，促进产品品质不断提升、产品成本不断下降，经济效益持续提高，保证了公司在市场竞争中的领先优势。

2、研发优势

经过在电子材料行业多年的深耕发展，公司积累了一定的技术研发优势和技术创新能力，逐步建立了江苏省企业技术中心、高纯电子材料工程研究中心、高纯金属有机化合物MO源材料工程技术研究中心、博士后科研工作站、外国专家工作室等企业创新平台，公司亦荣获国家级“专精特新”小巨人和制造业 “单项冠军”示范企业荣誉。截至报告期末，公司及主要子公司自主开发的专利共计170项，其中发明专利50项，实用新型专利120项。

3、人才优势

公司积极引进海内外技术研发和运营管理专家，组建具有丰富产业研究、产业化实践和企业管理经验的核心团队；实施股票激励计划，充分调动核心骨干人员的积极性和创造性；实行创业者团队激励制度，坚持完善“人才+平台+产业”事业合伙人机制，持续激发企业创新创效的内生长加速度。

·风险提示

1、行业景气状况及全球化竞争的风险

公司所处行业受半导体行业的景气状况影响较大，半导体行业是周期性行业，公司经营状况与半导体行业的周期特征紧密相关，半导体行业发展过程中的波动将使公司面临一定的行业经营风险。同时，面对国际巨头的竞争压力，能否在全球化竞争中取得相对竞争优势，抓住市场机会，将对公司的生存及发展具有重大影响。

2、安全生产的风险

公司产品对氧和水十分敏感，在空气中会自燃，遇水则发生爆炸，属于易爆危险品。产品生产流程中的合成、纯化等环节涉及到各种物理和化学反应，对安全管理和操作要求较高。未来仍存在因安全管理不到位、设备及工艺不完善、物品保管及人为操作不当等原因而造成安全事故的风险。

3、新产品开发风险

由于国外的技术*锁封**，公司在先进前驱体材料板块、电子特气板块、光刻胶及配套材料板块主要依靠自主研发突破技术瓶颈。但是由于先进电子材料的精度、纯度标准较高，对产品性能指标的要求严格，如公司未来研发工作计划不周全、组织不到位、程序的实施有所偏差，则仍然存在研发失败和研发成果不达预期的风险。