与之前的产品相比,在2016年台北国际电脑展上展出的存储产品在性能上取得了很大的突破,同时也在外观设计、功能上取得了不小的进步,下面我们就将以宇瞻展台的产品为例,为大家进行解析。
DDR4频率逼近4000


本次宇瞻展出了一款标称频率可以达到DDR4 3733的BLADE DDR4内存,而根据我们的现场体验来看,只要使用XMP功能,我们就可以将它一键超频到DDR4 3733稳定使用,其最高频率可以达到DDR4 3868。究其原因在于内存颗粒在最近一年间取得了不小的进步,如内存颗粒的20nm/21nm生产工艺已经非常成熟。同时支持DDR4内存的Skylake处理器也逐渐成为主流,DDR4内存已经成为各厂商最为关注的产品,因此它在近一年的发展很快。不过需要注意的是,高频内存对主板的要求依然很高。目前这款宇瞻DDR4 3733内存目前可以完美地工作在由SuperMicro超微打造的Z170主板上(PS:从这里我们可以看到,原本专注企业级市场的超微开始觊觎DIY消费级主板领域),其他厂商的主板产品还需要进行相应地优化设计。


同时宇瞻还展出了默认频率达DDR4 3000,一“出生”便获得台湾精品奖,被ROG GX700这类电竞笔记本广泛采用的NOX高端笔记本内存。据悉,目前英特尔笔记本处理器中的HQ系列可以很好地支持XMP技术,因此即便是对硬件知识一窍不通的笔记本电脑用户,只要开启内存的XMP功能,也可将内存一键超频到DDR4 3000。
NVMe即将普及U.2潜力巨大

而在存储领域,各类支持NVMe技术的SSD绝对是本届Computex展会上的主角。以往这一领域是英特尔与三星的天下,而此次像宇瞻这样的台系存储厂商也推出了多款基于群联、SMI慧荣新主控的NVMe固态硬盘。宇瞻这边,他们主要推出的还是基于群联PS5007主控的Z280 NVMe M.2 SSD。原因在于PS5007较SMI慧荣的SM2260性能更好。在展会上我们注意到不少采用SM2260的PCIe SSD连续写入速度往往在千兆以内。而采用PS5007的产品则在连续读写速度上与英特尔750差不多,如这款Z280的标称连续读写速度分别达到2500MB/s、1350MB/s,相当强悍。

此外就像我们在上届展会上预言的那样,采用2.5英寸外形、基于PCIe 3.0 x4总线的新形态SSD:U.2 SSD果然被各大存储厂商看好,相对插卡式PCIe SSD,它的价格更低,相对M.2 SSD,它的空间大得多,可以保证性能的发挥。因此在本届展会上,各大存储厂商都推出了U.2 SSD。如这款非常神秘、贴着黑豹标签的宇瞻U.2 SSD。但遗憾的是经我们再三“威逼利诱”,工作人员也不肯透露半点有关它的硬件配置信息。只是基本能确认的是,它的性会比尺寸比它小不少的NVMe M.2 SSD还要好,普及的可能性也更大,这是不是让您非常期待呢?
移动存储越来越小,越来越快


在本届展会上,宇瞻不仅展出了本刊之前介绍过的AS720双接口移动SSD,即拥有SATA与USB 3.1Type-C接口,最高读写速度分别可达到540MB/s、450MB/s,既可用于电脑内部也可作为移动存储设备使用的产品,还展出了尺寸更小,仅配备了USB 3.1Type-C接口的ASMini SSD。其尺寸只与我们的一张名片相当,但内部却配备了四核心主控芯片,拥有ECC 72bit/1KB纠错功能,支持NCQ技术,其连续读写性能也可达到读:431MB/s、写:380MB/s。

同时,除了体形超小的OTG闪存盘外,为iPhone、iPad设计的Lightning+USB双接口闪存盘在体型上也取得了很大突破。如宇瞻展出的这款AH190 USB 3.1+Lightning双接口闪存盘的尺寸仅与传统OTG闪存盘相当,携带起来非常方便。原因在于新一代的苹果移动存储设备普遍去掉了内部的电池,并优化了外观设计。
外观设计将成重中之重


同时考虑到00后、90后等充满个性的新生代已成为当前电脑的主力消费群体,因此厂商对于产品的外观设计也越来越重视,不管它是低端产品还是为发烧玩家设计的极致内存。可以看到,面向主流市场的宇瞻黑豹内存拥有非常惊艳的造型,散热片表面采用的精密冲压技术让表面豹身呈现打凹镜面抛光质感。而其嵌入的PANTHER字样,以及内存顶部凹凸有致、耀眼夺目的发光模组则更提升了产品的气质,以至于一开始我们甚至以为这是一款高端产品。而宇瞻面向高端玩家设计的ARMOR SSD则顾名思义地采用了全金属设计,不论是拿在手里,还是在远处欣赏都充满了金属质感。
RAMDISK并不是玩具


最后我们还将为大家介绍一个非常有意思的产品,相信很多读者都自己用过基于内存的RAMDISK,但可能大多觉得这只是一个玩具,毕竟尽管内存性能远强于其他存储设备,但一关机或重启,里面的所有数据都会消失。但在企业级领域,RAMDISK却并不是玩具,宇瞻就展出了一款基于RAMDISK原理的AvataRAM存储设备。可以看到其内部实际上是由DDR3 ECC SO-DIMM内存组成,通过SATA 3.0接口与电脑连接。其随机读写性能非常强悍,如它的随机512KB写入性能可以达到20万IOPS,而对比SSD如美光的M600、闪迪的S3510甚至没有超过5万IOPS。据悉这款存储设备将主要用在那些7×24小时工作的专业领域,如云服务器、数据中心等,用于数据储存(MetadataStore)及日志文件(Log File)的应用。但是如果突然服务器死机或停电,AvataRAM内部的数据是不是会立即消失呢?厂商早已考虑到这一问题,为它在内部配备了一颗容量达2300mAh的电池,具备一小时以上的续航时间,足以让用户转移、备份数据。
总体来看,在这一年时间里,存储设备又获得了非常大的发展,“PC性能的最大瓶颈”这个定义对于存储设备来说或许将成为过去式。