今天向大家分享具体电路的设计，电路图如下所示
反激电路
我们先一起来看一次测部分：
一次侧电路
适配器大都是两线输入，F1为保险丝，MOV为压敏电阻，C1为安规X2型电容，R1,R2为C1的泄放电阻，L1为共模电感，NTC为热敏电阻，BD1为全波整流桥，C2为大容值铝电解电容，C3,R3为高频滤波电路。
安规上要求保险丝之前（即L,N线）至少要2.5mm距离，F1作用是当单体出现误动作，安规上的一些异常情况时（过流，过载等），F1要先被熔断掉，而且是F1本体本身不能被炸开（要防暴），只是允许里面的熔丝断，F1的选取主要与单体的规格（功率）有关，且综合考虑SURGE要求。
MOV压敏电阻是考虑到SURGE的要求，一般4KV以上需要加上去，放置于L,N线之间，主要你用于保护L,N线走路上的器件(包括串联与并联的，串联比如C2,,NTC,BD1,L1,并联的有C1)
C1主要作用的是EMI（传导），滤掉差模干扰,但为了待机损耗，特别是230Vac时，C1不能用的过大,最好0.33UF以下，待机才会有足够余量；
L1主要是抑制共模干扰，是一种带通滤波，这种电感类型多样，有环形CORE的，有双槽，多槽的，注意各种类型的绕法，磁芯材料及优缺点，根据具体情况选用。
NTC主要作用是抑制开机时的输入电流冲击及衰减进行Suege测试时的脉冲电流，常用规格有2.5Ω, 3Ω，5Ω。
BD1是全波整流，有分立的四个或集成的一个插件的整流桥，一般电压规格有800V,1000V,电流规格有2A，3A，4A，根据设计需要选取。
C2是大容值铝电解电容，主要考虑因素有：输出电压纹波，本身的纹波电流及温度，Life，还有EMI（ESR）.,尺寸大小以及产品输出电压的HOLD UP TIME,
C3,R3主要是高频滤波，影响EMC。
Q1是开关管，其选型根据AC工作的电压及样品的功率及输出电流，一般适配器的工作电压有以下几种情况：
A． 全压：90~264；
B． 高压：195~264；
C． 低压：90~135;
R10是开关管驱动电阻，几十欧姆到几百欧姆，R11是泄放电阻, D8是隔离二极管。
R12用于保护MOS，避免由于外界静电产生误动作导致开关管损坏。
R13(及R14，两者并联) 的选用，根据客户的要求选用，可以调节单体的OCP。
D1,C4,R8,R9,,R4,R5,R6,R7 构成MOS的尖峰吸收电路（即RCD一阶吸收电路）。
接着是PWM IC（M1）的小信号控制线路：
R15,R16与C7构成启动电路，当AC通电，通过线路对C11充电，达到IC的开启电压，IC开始工作，C10,C9与变压器的辅助绕组构成供电回路，当电源电压工作达到稳定输出后，就由此路输出给IC供电。
R20,R21可以实现AC输入端欠压保护，即当AC的电压低于某个值时就会使IC无法工作，没有驱动输出，进而达到关掉电源的目的。
R18与光耦（M2）构成反馈回路，把而二次侧电压出现波动的情况通过光电转化反馈到IC，IC做出反应控制驱动的占空比进而达到稳定输出的目的，C5，C6是滤波小电容。
今天先分享一侧，后面会为大家讲解二次侧的部分，最后大家有没发现还有几个器件没有分析其作用呢？没错，就是给大家思考的问题，小姐姐，小哥哥们我们可以一起思考，讨论，一起进步：
疑问：线路中C8, R17, R19有什么作用呢？