一般CPU的cache使用SRAM静态随机存取的存储器。
一般DRAM在内存中使用。
一般固态硬盘中cell的位数slc mlc tlc qlc是1、2、3、4。
Cell中位数最高的值表示放电之后的值。
cell中充满电表示0。
存储单元cell是垂直堆叠的，垂直是vertical。
堆叠的存储单元叫串。一般一个串由10个闪存的存储单元cell构成。在信息被写入或者读取之后，在同一个时间，只有一个存储单元cell被激活。为了实现这一点，我们用独立的控制栅接在串的各层上。把串串联起来，形成位线Bitline。一般工作的时候，最下面的控制栅会查看到最下面一个读写单元cell的电荷水平，然后沿着位线发送出去。然后控制栅会读取串上倒数第二个存储单元cell的电荷水平，沿着位线发送出去，同样，写数据也是这样的过程。最重要的是：在这个串上，只有一层被写入或者读取。然后把串横向复制31次就得到了一个page页。接着我们把这一整面的串称为一“行”。
我们在复制串的时候，位线也被复制了31次。我们可以把一个page页上的存储单元共享一个控制栅，这样我们从一个“行”里读取或者写入信息的时候，页上同一层32个相邻的单元组，可以同时被激活。我们再把这一个行前后复制5次，得到一个“区块”。如果复制11次就得到了两个block区块。从顶层上看两个块之间，可以看到一个竖线，是列。我们把每列中每个串的顶部连接在一起，因此他们可以共享同一条位线。我们还要加上一个可以选择不同行的控制栅，以便在同一时间，只有一个行在使用位线。这些东西，叫位线选择器。以便在同一时间，只有一个行处于激活状态。连接在各层上的控制栅作为各层的控制器。在各行顶部的位选择器，还有各层的控制栅选择器的帮助下，固态硬盘得以在任意一个时间下，从一个页里面进行读取或者写入信息。为了把位线选择器和控制栅选择器连接起来，还有一些自下而上的与位线垂直的导线，这样固态硬盘就可以存取大量信息了。位线选择器和控制栅选择器一起组成了行解码器。
SSD寻址和IO的最小单位是Page，擦除的最小单位是block。
固态硬盘的存储介质分成两种，一种是采用闪存flash芯片作为存储介质；另外一种是使用DRAM作为存储介质。
2D NAND采用浮栅架构，3D NAND 采用电荷储存式Charge Trap。
三星首先选择了CTF电荷撷取闪存charge trap flash路线，相比传统的floating gate浮栅极技术，难度要小一些。
V-NAND
鼓励的话语：能忍常人所不能忍的人，是一个狠角色！