S26KL512SDABHB020闪存芯片S26KS512SDGBHB030
前两天西部数据召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而西部数据在会议上还报告了BiCS 3和BiCS 4 3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示，西部数据的存储器类型还没完全从2D NAND转换成3D NAND，现在3D NAND只占总产量的65%，换言之西部数据生产的所有存储器还有三分之一是2D NAND。 另外，在本月12号，西部数据宣布采用BiCS4技术的96层3D NAND已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到西部数据的BiCS 4 NAND不仅会有TLC类型，而且会有QLC。使用BiCS 4技术的TLC NAND芯片和采用BiCS 3 的TLC NAND芯片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是采用BiCS 4技术的QLC的存储芯片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。
同时西部数据在他们的PPT中表示从2D NAND工艺转向3D NAND工艺过程非常繁琐，他们也认为这个计划的执行时间比原定时间延迟了大约6个月，不过从2D NAND彻底转向3D NAND的持续过程不会用太长时间。在现在2D转3D的潮流中，有些制造商已经将用于生产2D NAND的设备升级成生产DRAM的设备，而不是升级成生产3D NAND的设备，不知道西部数据会不会借鉴这种思路。
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