来源：SiSC半导体芯科技
随着光刻精度的不断提升，晶体管尺寸微缩逐渐接近硅原子的物理极限，摩尔定律似乎步入尽头。芯片性能的提升主要是通过工艺突破来实现，而这一途径的难度越来越大，随之封装性能的提升作为有效的补充越来越被重视。传统封装工艺不断迭代出的先进封装技术崭露头角，它继续着集成电路性能与空间在后摩尔时代的博弈。同时，晶圆键合（Wafer Bonding）、倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)、混合键合等也是一项技术壁垒较高的新型工艺技术，且工艺要求极其严苛。
在14nm工艺后，衬底和晶片的厚度将成倍下降，热应力下的翘曲效应使得凸点桥接(Solder Bump Bridge) 失效异常严重。热压键合（TCB）、临时键合和解键合等技术方案在不断完善。键合材料从金属铝、铜等，再到聚合物材料的推陈出新，使得键合材料的创新与键合技术的发展逐渐相辅相成。
先进封装与键合工艺技术与时俱进，后摩尔时代下这一系列的技术不断更新，支撑了先进制程和先进封装的向前发展。2023年2月23日，晶芯研讨会将邀请半导体产业链代表领袖和专家，从先进封装、键合设备、材料、工艺技术等多角度，探讨先进封装与键合工艺技术等解决方案。会议详情：https://w.lwc.cn/s/bA7BRv
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