下一次工业革命的关键技术 (工业革命新技术)

人类科技的发展是循序渐进的,在我们日常生活中所用到的,其实大部分都是很久之前都已经就发明出来的、并且通过不断迭代发展已经是非常成熟可靠了。就好比日常生活中使用的手机,在上世纪九十年代出现的大哥大就是原型,在经历了二十多年的技术更新,有了我们现在使用的智能手机。

这次依旧是闲谈,就单纯的说说最近比较热点的技术,说到哪是哪。

下一次工业革命的关键技术,工业革命的技术演进

手机的通信是靠无线电波进行传输的,而且无线电在一百多年前就发明了,在日常生活中也是被使用的最广泛的一项技术了。但是说到光通信,对于大部分人而言都是陌生的。

众所周知,我们现在的整个通信网络,对于光通信技术有着极大的依赖。我们的骨干网、光纤宽带以及5G,都离不开光通信技术的支撑。

所谓光通信,就是利用光信号携带信息,在光纤中进行数据传输的技术。光波是电磁波的一种,所以,光信号也符合电磁波的物理特性。

我们分为三个板块进行分析:

第一个思路:提升信号的波特率

波特率(Baud),准确来说就叫波特,叫波特率只是口语习惯。它的定义是:单位时间内传送的码元符号(Symbol)的个数。

波特率很容易理解,以每秒传输的符号越多,当然信息量就越大。

目前,随着芯片处理技术从16nm提高到7nm和5nm,光学器件和光电转换器件的波特率也从30+Gbaud提高到64+Gbaud、90+Gbaud,甚至120+Gbaud。

然而,波特率并不是无限大的。越往上,技术实现难度越高。高波特率器件,会带来一系列系统性能损伤问题,需要更先进的算法和硬件进行补偿。

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对于二进制信号,0和1,1个符号就是1比特(bit)。那么,每秒的符号数(波特率)就等于每秒的比特数(比特率,bit/s)。对于四进制信号,1个符号可以表达2比特,每秒的符号数×2=每秒的比特数。

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四进制,相同的波特率,比特率翻倍

第二个思路:采用更多的光纤数或通道数。

纤数量越多,相当于单车道变双车道、四车道、八车道,当然传输信息量会翻倍。但是,这种方式涉及到投资成本。而且,光纤数太多,安装也会很麻烦。信道数可以是空间信道,也可以是频率信道。

空间信道包括模式(单模/多模)、纤芯(多纤芯的光纤)、偏振。

频率信道的话,这就要提到WDM(波分复用技术)。它把不同的业务数据,放在不同波长的光载波信号中,在一根光纤中传送。

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(WDM波分复用)

(波长×频率=光速(恒定值),所以波分复用其实就是频分复用)

目前行业正在努力将光通信的频段拓展到“C+L”频段,可以实现192个波长,频谱带宽接近9.6THz。如果单波400G,那就是192×400G=76.8Tbps的传输速率。

第三个思路,也是我们今天要重点介绍的思路——高阶调制。

采用更高级的调制技术,提升单个符号所能代表的比特(对应第一个思路),进而提升比特率。我们经常听说的PAM4、BPSK、QPSK、16QAM、64QAM,都是调制技术。想让电磁波符号表达不同的信息,无非就是对电磁波的几个物理维度进行调整。

大家比较熟悉的物理维度,是幅度、频率、相位。

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光波也是电磁波,所以,对光波进行调制,思路基本是一样的。

光纤通信系统,主要有6个物理维度可供复用,即:频率(波长)、幅度、相位、时间(OTDM)、空间(空分复用)、偏振(PDM)。

这就是简单地跟大家说说光通信的三个思路,可谓是非常清晰的。

同样与智能手机热度一样的电动汽车,可谓是更加依赖半导体技术的发展,接下来,我们聊聊电动车的相关技术。

还是那样,纯属闲聊,聊到哪算哪。

现在国内的疫情反复无常,很多大城市的工作者因为所在城市的防疫要求,采取了居家办公。同样是因为这种社会需求,就催生了对PC和服务器的强大要求。

行业内预计消费类相关功率芯片由于供给逐步恢复价格会有所回落,但是车规MOSFET和小型号产品由于海外厂商减产转移至IGBT和SiC仍处于供不应求,IGBT在电动车和光伏、风电等新能源需求驱动下仍然景气度非常高。

电动车大时代:IGBT

此*功轮**率半导体新周期最受益的是以IGBT为代表的中高压功率器件,预计国内车规IGBT/SiC模块市场规模在2025年将达到300亿元人民币左右,如果考虑光伏逆变器带来的100亿左右增量需求和工业领域的存量需求,预计2025年国内IGBT为代表的中高压功率半导体市场规模将增至600亿元左右。

国内IGBT芯片厂商如时代电气、士兰微的IGBT产能已经投产,下游客户验证已经大部分完成,预计2022年国内IGBT厂商的国产化替代进程将提速。

产业链最重要的环节

功率半导体作为电子电力控制的关键器件,技术持续提升的方向在于单位电压的安培容量,不断提高输出效率,采用碳化硅衬底制作的功率器件相对于硅基而言具备天然优势,导通损耗和开关损耗都大幅降低,提升了逆变效率。

碳化硅基器件的价值量最大的环节在于衬底,由于碳化硅衬底的长晶速度减慢,良率非常依赖工艺积累,所以在衬底资源已经成为SiC时代的核心资源。

物联网驱动的电动化和智能化

2020年疫情以来笔记本出货创近十年新高:

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2021年电动车需求爆发:

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由于功率半导体供需错配,本来产品价格较低的功率器件在晶圆厂产能供给的优先权就比较低,晶圆产能供给紧张的时候代工和封测成本端大幅上升,各大功率半导体厂商纷纷大幅上调产品价格,预计行业平均价格涨幅超过20%,部分产品甚至价格上涨了7-8倍。

2014-2021年功率半导体行业周期:

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在全球分立器件的下游需求中汽车占比最高,达到35%左右,国内市场中汽车行业对于分立器件的用量占比为27%。

传统燃油车中仅有少量的IGBT单管用于发动机点火器,纯电汽车的动力系统转为电池以后,IGBT模块成为电驱系统中逆变器的标配,此外新能源汽车在车载充电机(OBC)、DC-DC升压器、电空调驱动也需要用到IGBT单管。

单车用到的MOSFETs和IGBTs:

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根据StrategyAnalytics测算,传统燃油车功率半导体用量仅为71美元,48V轻混车型功率半导体价值量增值至90美元,而纯电车型的功率半导体用量增幅高达364%,大幅上涨至330美元。

双碳政策下,以光伏和风电为代表的新能源发电的装机量大幅增长,太阳能发电中DC-DC直流转换器和光伏逆变器均需要用到IGBT作为功率开关。

其中逆变器的效率很大程度上取决于设计使用的元器件,元器件的性能可以由功率损耗来衡量,功率损耗分为导通损耗和开关损耗。

相较于MOSFETs而言,IGBT适用于较低开关频率和大电流的应用,大电流下IGBT的导通损耗比MOSFET更低,MOSFET有能力满足高频、小电流的应用,具有更低的开关损耗,更适合开关频率在100KHz以上的逆变器模块。

从逆变器类别来看,由于微型及单相逆变器功率较小,一般采用IGBT单管方案为主,高功率三相逆变器则采用IGBT模块,低功率三相逆变器则两种方案都有采用。

光伏中用到的MOSFETs和IGBTs:

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从一个IGBT就可以分析出,其技术更新和市场占有率都是极其重要的,对于行业内的参与者,不容半点怠慢。对于国家政府而言,更是大力推动IGBT的发展,因为这意味着,我们不容易被卡脖子。

好了,这次就聊到这里,大家有什么想说的,请积极在评论区里留言。

我是六六科技人,我们下期见。

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