镁光最近公布了2018 财年第三季度的报告，同时也公布了公司未来的发展方向，预计在2018年下半年96层3D NAND技术将会正式量产出货，96层NAND是第三代3D NAND技术，可进一步增加每个芯片的储存容量，从而能够打造出更小、更节能的设备。目前很多SSD都是采用32层或64 层NAND Flash，镁光已计划打造超过120层的*四代第**3D NAND。镁光表示，与目前的64 层NAND相比，96 层NAND的价格也会更加便宜，将有望降低SSD的价格。
同时，镁光准备为客户提供适用于汽车行业类型的GDDR6显存，采用1x-nm 工艺制程制造、低功耗的首款 GDDR6显存，能为车载系统如“自动驾驶”提供更优的解决方案。在技术方面，全新的GDDR6 遵循 GDDR5 和 GDDR5X 显存的发展道路，但底层架构将会有所变化，以便在降低功耗的同时提升记显存的频宽。镁光的资料提到，性能测试可以确定GDDR6显存频宽可能会超过 16.5 Gb/s 。
镁光提到第二个发展重点，就是预计今年年底前1x nm DRAM产量将超过前几代，下一代 1Y nm ( 15/16 nm ) DRAM 也将在 2018 年下半年开始量产，正如在之前提及的一样，镁光再下一代 1z DRAM 内存芯片已经在开发，产品及工艺路线图已非常稳固，同时 1-alpha 开发计划也，已经准备当中。
镁光此次推出96层3D NAND，大幅提升DRAM芯片的工艺制程，除了巩固自己在NAND和DRAM市场的领先地位，更多的还是想压制刚刚起步的中国NAND和DRAM厂商。