最近贴吧上一个四年前的坟帖再度被顶起，话题大家非常熟悉：假如QLC固态硬盘问世会发生什么？
这个话题在TLC时代就已经被广泛讨论，最近疑似有Intel未公开型号660p在参数规格中列出了64层堆叠3D QLC闪存的字样，容量从512G起步，海量存储廉价化仿佛已在眼前。
早在去年东芝就第一个宣布了QLC闪存计划，安排在今年下半年96层堆叠3D闪存量产之后，FMS 2017闪存峰会上Microsemi展示了东芝第三代BiCS QLC闪存以及对应主控开发板。
或许有人对Microsemi不太熟悉，它在2016年收购了PMC-Sierra，后者是最早开始NVMe固态硬盘主控研发的公司之一。
早在2009年，东芝就使用43nm工艺制造出了QLC闪存芯片，单Die容量达到当时最高的64Gb，几乎相当于19nm时代MLC的存储密度水平，主要用于优盘存储卡。
QLC类型对于跨时代的容量提升作用非常明显。不过在32nm之后，由于种种原因QLC并没有马上推行开来，TLC随着制程缩减而登上历史舞台直到现在。
TLC到QLC的转换势必会对寿命产生一定影响，这对晶圆制造及检测提出了更高的要求，每片晶圆中只有体质最优的部分芯片才能用于固态硬盘级存储，而存在瑕疵的芯片只能报废或用到稳定性要求不太高的优盘、存储卡当中。
不出意外的话，QLC时代翻车的固态硬盘会比现在更多。根源问题依然是闪存技术垄断，国产货最擅长的成本压缩无处发挥，只能在最要命的闪存品质上做手脚了。
光有闪存是不够的，还需要主控的配合才能制造成一颗固态硬盘。主控的研发一定会先于闪存的量产，当主控成熟时QLC固态硬盘距离我们就不远了。下图是Marvell的下一代演示版QLC主控，不过性能演示是在搭配现有3D TLC闪存的情况下进行的，说明固件尚未准备好。
刚发布或正准备发布的PHISON、SMI主控未来都可能会支持3D QLC闪存，因为当前老主控都能支持3D TLC，新主控除了初期使用64层和96层堆叠3D TLC之外，更有可能是为3D QLC的支持提前做准备。
或许还有人惊叹于单片256GB的TF卡，不过电脑用户也不必羡慕手机，因为东芝已经在前不久发布了指甲盖大小的RC100 NVMe固态硬盘，单颗480GB容量。在3D QLC闪存量产之后我们或许将迎来固态硬盘480GB起步的时代，更多的人会有理由淘汰落后的机械硬盘，迎来全闪存时代。