【公司A】是一家专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的高新技术企业,同时也是国内生产"方片式"单、双向可控硅极早及品种极齐全的厂家之一。是国内电力半导体器件领域中,晶闸管器件芯片方片化这个细分行业的企业。公司产品在国内市场已拥有很高的知名度和市场占有率,多年来部份产品已销往日本、韩国、西班牙、新加坡、台湾等国家和地区。
机构持仓情况
十大流通股股东
限售解禁情况
公司产品
1、晶闸管系列： 晶闸管（又称：可控硅）耐压高、电流大，主要用于电能变换与控制。即直接对交流电的输出大小进 行控制通过控制晶闸管的触发时间来实现交流电的开通，通过交流电的过零来实现关断，从而实现对输出 电能大小的控制。可以用微小的信号功率对大功率的电流进行控制和变换，具有体积小、重量轻、耐压高、 容量大、效率高、控制灵敏、使用寿命长等优点。晶闸管的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快 速接通或切断电流等。晶闸管的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、交通运输、 军事科研以至商业、民用电器等方面广泛采用的电子元器件。
2、 防护器件系列： 半导体防护器件种类较多，主要有半导体放电管（TSS）、瞬态抑制二极管（TVS）、静电防护元、器件 （ESD）、集成防护器件、Y电容、压敏电阻等，可应用于仪器仪表、工业控制、汽车电子、手持终端设备、 户外安防、电脑主机等各类需要防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，保护内部昂贵的电子电路。由于是 用场合广泛，市场需求量较大，半导体防护器件市场规模较为稳定。
3、 二极管系列： 二极管是最常用的电子器件之一，二极管的单向导电特性可以把正弦波的交流电转变为脉动的直流电。 用途广泛，几乎所有的电路中都有使用到。公司二极管芯片采用SIPOS+GPP钝化工艺，具有高可靠性，三 种金属组合供客户选择，主要产品有高耐压整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、整流二极管模块 组件等，用于民用电器电源整流、工业设备电源整流、漏电断路器、电表、通讯电源、变频器等应用领域。
4、 MOSFET系列： MOSFET，金属-氧化物半导体场效应晶体管，一种全控制型半导体功率分立器件，通过栅极电压的变化 来控制输出电流的大小，并实现开通和关断，输入阻抗大、导通电阻小、功耗低、漏电小、工作频率高， 工艺基本成熟，是市场规模最大的功率分立器件。应用极其广泛，主要包括电源类和驱动控制类两大类应 用。公司MOSFET系列产品主要包括中低压沟槽MOSFET产品、中低压分离栅MOSFET产品、中高压平面VDMOS 产品以及超级MOS等产品。
5、厚模组件： 厚模组件系列产品采用，模块集成封装，把可控硅、二极管、MOSFET、IGBT、FRD等芯片组合成不同的 电路拓扑结构；在模块基础上集成控制线路，衍生出了固态继电器、智能模块及IPM等功能模块，主要应 用于调温系统、调光系统、调速等系统；具体应用于软启动、变频器、无功补偿领域。
6、 碳化硅器件： 碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一，具有超快的开关速度，超低的开关损耗，正向压降(Vf)为温 度特性，易于并联，可承受更高耐压和更大的浪涌电流，用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通 等领域，主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。
7、其他： 功率型开关晶体管及达林顿晶体管，应用于点火器、磁电机等领域，具有良好的可靠性和质量。
①公司产品主要类别图示：
②主要用途图示
③半导体各功率分立器件的特性及其应用：
2、 投资项目进度
3、经营分析
4、公司核心竞争优势
- 知识产权：截至2019年12月31日获得授权专利82件，其中：发明专利18项，实用型新专利63项，外观专利1项。 已受理发明专利49项，受理PCT专利1项，受理实用新型专利13项。
- 芯片研发能力和定制化设计能力是公司最主要的核心竞争力之一。 国外大型半导体公司以销售标准化产品为主，较少为客户生产定制产品，并且在为客户定制产品时， 开发周期相对较长。国内大多数电力电子器件制造商不具备芯片设计制造能力，仅从事半导体分立器件的封装制造。公司立足于我国市场的实际情况，根据终端产品需求多样化和升级换代快的特点，依托于芯片研发设计技术优势，目前已经研发并生产多种型号和规格的标准产品，并通过对客户需求的评估生产个性化产品。 由于公司下有客户分布行业广泛，客户对产品性能的要求各异，定制产品具有很大的市场需求空间， 其附加值也相应较高。公司为客户定制产品，需要结合生产工艺的调整和关键技术的协调匹配，是公司芯片研发能力的重要体现，也是公司差异化发展的重要标志。 公司形成了以芯片研发和制造为核心、器件封装为配套的完整的生产链，突出芯片研发和制造水平，走差异化发展道路。
- ·人才培育和团队建设的优势。 公司核心研发团队稳定，核心技术团队长期从事电力电子技术的研究与开发工作，在产品技术创新与协同、生产工艺优化与升级、产品开发与成果转化等具有丰富的经验。公司核心管理团队成员结构合理，涵盖了经营管理、运营管理、市场营销、产品应用、财务管理等各个方面，协同性和执行力强。
- 公司具有优质的客户资源基础，逐步实现【国产替代】进口。 公司通过技术创新提高产品的附加值，为客户设计生产定制化产品，提高了产品的性价比。知名企业对公司产品质量的充分认可是公司稳步拓展市场空间的基础，公司产品正在逐步实现以国产替代进口，降低我国晶闸 管、二极管、防护类器件市场对进口的依赖。同时，公司产品也得到了国外知名厂商的认可，公司产品现已出口至韩国、日本、西班牙和台湾等电子元器件技术较为发达的国家或地区，并且对外出口数额逐年提 高。公司生产的中高端产品实现替代进口及对外出口上升的趋势，打破了中国电子元器件领域晶闸管、二 极管、防护类器件市场受遏于国外技术制约的局面。公司晶闸管系列产品的技术水平和性能指标已经达到 了国际大型半导体公司同类产品的水平，公司产品已经具备替代进口同类产品的实力，并具有较强的自主定价能力。
二、财务数据
基于2019年年报报告期：
1、报告期内，实现营业收入67,399.71万元，较上年同期增加25.40%，实现归属于母公司所有者的净 利润18,968.60万元，比上年同期增加14.50%。
2、报告期内，营业成本36,989.71万元，较上年同期增加34.58%，主要是随着销售的增加同步增加营 业成本所致。
3、报告期内，销售费用较上年同期增加5.09%，主要系销售增加导致运杂费增加及市场推广费增加所 致。
4、报告期内，管理费用较上年同期减少4.18%，主要系公司股权激励费用本期比上期摊销减少所致。
5、报告期内，研发费用较上年同期增加42.76%，主要系公司增加研发投入所致。 6、报告期内，财务费用较上年同期减少3.29%，主要系利息净支出增加及汇兑净损失减少所致。
7、报告期内，信用减值损失及资产减值损失同比上年的资产减值损益减少117.18%，主要系新准则下 公司坏账政策调整，本期计提减值准备较上期降低所致。
8、报告期内，投资收益较上年同期减少100.00%，主要系公司上期购买理财产品取得投资收益，而本 期公司未购买理财产品所致。
9、报告期内，其他收益较上年同期增长5.55%，主要系公司收到与日常经营活动相关的政府补助所致。
10、报告期内，营业外收入较上年同期增加1788.87%，主要系本期收到供应商质量赔款、高管超额减 持公司股票部分的收益上缴公司以及核销无需支付的应付账款所致。
11、报告期内，经营活动现金净额较上年同期减少23.72%，主要是公司主营业务收入复合增长和加大 MOSFET系列产品的研发投入及市场开发等账期内应收账款增加原因所致。
12、报告期内，投资活动现金净额较上年同期增长29.98%，主要系公司支付"电力电子器件生产线建 设项目"工程及设备款以及利用闲置资金投资购买了期限为3-6月的保本浮动收益性结构性存款暂未到期 所致。
13、报告期内，筹资活动产生的现金净额较上年同期增长2307.52%，主要系公司2019年12月向5家特 定投资者的10个配售对象非公开发行人民币普通股所致。
三、近三年资本运作
· 定增
定增情况
· 分红
历年分红情况
四、公司经营和未来战略
2、投资者互动平台答投资者问答。
①问：公司产品需求是否有变化？产能利用率如何？谢谢
答：尊敬的投资者您好，感谢您的关注！公司产品需求无明显的变化，其中MOS需求同比相对增长较快。在中美贸易战和国产替代进口的大环境下，部分产品的需求量呈现增长的趋势。目前公司IDM产能利用能满足客户的订单需求。谢谢！
②问：你好！1：高新科技企业最大的问题就是产品更新迭代，而专业性人才就可以很好的解决这样的问题，贵公司怎样应对？比如斯达管理层等，都有国外大厂高层的履历。2：不知道公司对同行业间吸收并购持怎样的态度？比如闻泰等。3：公司的功率半导体器件下游市场的需求度目前处于什么状态？还处于去库存状态吗？4：贵公司管理层一再减持公司股票，是对公司前景有分歧还是什么？虽说减持完全合理合法，但是始终会对中小股东有心里打击
答：尊敬的投资者您好，感谢您的关注！其一、公司以自有资金在新片区设立控股子公司（上海）科技有限公司，该创始团队由来自业界国际知名半导体公司的核心研发和管理人员组成，将坚守品质、持续创新，充分发挥技术和经验优势，把低功耗、节能环保和高频、高效功率器件作为技术创新的突破目标，着力攻克MOSFETSGT等关键核心技术，包括公司先进封测事务部、无锡捷捷的CDMOS团队等，助力整个公司平台建设、发展路径和产业布局等。其二、目前公司基于现有产品结构的基础上，围绕主营业务，持续创新，以内生增长为主，同时，将借助资本市场推进外延式发展。公司将在充分考虑业务与技术协同效应的基础上以及产品结构符合产业结构发展趋势、商誉的可控和文化与理念趋同等必须齐备的前提下，合适的时机，合适的标的出现，公司会考虑收购或并购，包括机制建设、体系完善和人才与团队培养与引进等方面工作。其三、公司的功率半导体器件根据下游市场上的需求不存在去库存状态。其四、公司管理层减持股东均出于自身资金需求等原因。目前公司运营正常，即将三季报披露，敬请关注。谢谢！
3、 战略发展规划
1、提升产品的优势地位，紧随科技进步扩展产业链
（1）发展愿景：
公司成为具有国际竞争力的功率半导体器件品牌制造商，坚守并秉承向顾客提供优质产品与解决方案，为股东创造价值，让员工分享企业发展成果，承担企业社会责任与使命，建立"诚信、务实、创新、共赢"的企业价值观。
（2）发展纲要：
公司以"十三五"国家战略性新兴产业发展规划、《国家集成电路产业发展纲要》等为指引，聚焦主业发展方向，基于顾客价值创造，正确认知与选择，砥砺创造与创新，保持对研发和创新的高投入，用面向未来的能力来提升自己，坚持以市场为导向，坚持创新驱动，坚持以质量为主要竞争优势，矢志不渝地深耕功率半导体器件领域，实现高质量可持续发展。
（3）发展规划：
1）坚持以市场为导向，以平台和品牌为引擎，技术立足，创新引领，细分、优化、拓展业务板块，打造优秀团队和高效的组织架构与营运机制，提升产品应用领域与转型升级，提高创造现金流的能力，保证可持续的现金流。
2）加强产线与产能和产品规划，推动可控硅（IDM）、二极体芯片及器件和FRD（IDM）、MOSFET（Fabless+封测→IDM）、IGBT（Fabless+封测→IDM）、光电耦合器件（Fabless+封测→IDM）、汽车用半导体功率器件（IDM）等以及碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发和推广。
3）建立健全长效激励机制，以上年度实现的净利润值或完成当年关键业绩指标为基准考核对下年度实现的超额部分实行薪酬激励与股权激励*轨双**制，即根据上年度实现的超额（税后净利）部分的20-30%或30-50%用于团队的薪酬激励和股权激励（可供团队自主选择）。
4）完善并改进现有的经营理念与经营模式，着力提升市场维度与格局，实现人才与平台，市场与品牌的友好结合，以"产线、产品、市场"和"市场、产品、产线"的双驱动，全面融合深圳、上海、成都、西安、杭州等地的人才、资源和市场为中心的深度布局，拓展与拓宽产业链，放眼未来，未来可期。
5）加强公司治理结构，服从市场原则，紧紧围绕主业，通过产业基金与并购基金等方式，围绕技术与业务协同实现产业整合与并购重组，预期明确，风险可控，商誉保证。严守每股收益和净资产收益率的双底线，提高公司核心竞争力，提升公司价值与股东价值。
2、增强公司综合竞争力，提升公司的行业地位
（1）行业及市场定位与规划：
1）致力于功率半导体器件的设计、制造和销售，聚焦进口替代，打造具有国际竞争力的一流产品线，不断提升国内国际市场影响力。
2）进一步拓展"方片式"塑封晶闸管器件在家用电器、低压电器、工业设备等领域的市场份额，在细分领域力争国内领先、世界一流，努力打造成为国际市场知名品牌。
3）进一步拓展功率半导体防护器件在通讯设备、汽车电子、智能家居、安防、工业控制、仪器仪表、照明、移动终端设备、防雷模块等领域的应用，冲刺国内领先。
4）积极布局有特色的FRD、高端整流器产品线，进入新能源汽车、光伏、风电、电焊机、各类变频电源等领域。
5）加快功率MOSFET、IGBT、碳化硅、氮化镓等新型电力半导体器件的研发和推广，从先进封装、芯片设计等多方面同步切入，进入新能源汽车、5G、手机快充、平板电脑、智能监控和各类电源等领域。
6）积极推进研发投入，持续精益制造技术和制造工艺，保持产品具有良好温度特性的产品结构和工艺技术；具有较高的dv/dt能力、较强的抗电磁干扰能力和较大电流冲击承受能力的产品结构和工艺技术；具有高可靠性、多种金属组合、低VF值、高耐压、高结温的产品结构和工艺技术；耐高绝缘电压、低热阻、高可靠性的封装技术；夯实质量控制和管理，实现较高的芯片合格率和制造成本的优势。
（2）产品矩阵中长期定位与规划：
1）250A/2600V以下的"方片式"单、双向晶闸管塑封器件；
2）半导体防护器件器件、功率稳压管系列器件、功率集成式防护器件；
3）高端整流器件和FRD；
4）模块与组件（可控硅模组、整流模组、混合模组、MOSFET模组、IGBT模组、交直流固态继电器等）；
5）小型化、薄型化、贴片式、低阻抗、高功率密度的先进封装工艺技术；
6）平面技术的小信号器件；
7）功率MOSFET器件；
8）光电耦合器件；
9）IGBT芯片的开发；
10）碳化硅、氮化镓器件的开发和推广；
11）功率IC的研究与开发；
12）择机符合产业发展的资源整合（包括上下游）。
4、公司研发和事项
①科研方面，公司历来十分重视对技术研发的投入和自主创新能力的提高，报告期内，公司把握市场趋势，各项产品研发项目均有条不紊的进行。截至2019年12月31日获得授权专利82件，其中：发明专利18项，实用型新专利63项，外观专利1项。已受理发明专利49项，受理PCT专利1项，受理实用新型专利13项。其中：电子获得授权专利48项，其中发明专利16项、实用新型专利32项。申请受理专利共计20件，其中：发明专利16件，PCT1件，实用新型专利3项。其中：捷捷半导体截至19年12月31日获得授权专利34项，其中发明专利2项、实用新型专利31项、外观专利1项。申请受理专利共计43件，其中：发明专利33件，实用新型专利10项。
②重大投资方面，2019 年 11月 25 日公司召开第三届董事会第二十三次会议，审议通过了《关于拟设立控股子公司的议案》，同意公司以自有资金在新片区设立控股子公司，公司与上海芯马信息科技合伙企业（有限合伙）、南通捷成信息科技合伙企业（有限合伙）三方共同出资人民币2,000万元成立"电（上海）科技有限公司"。2019年2月26日，江苏电子股份有限公司（以下简称"公司"）召开第三届董事会第十三次会议，审议通过了《关于拟设立全资子公司的议案》，同意公司以自有资金1000万元人民币在中国深圳设立全资子公司，公司出资比例为100%。
5、近半年机构实地调研情况+投资者问答内容
2020年03月05日发布消息,2020年03月03日公司接待华宝基金等共13家机构调研，接待人员是公司董事、董事会秘书、财务总监沈欣欣,副总经理张家铨,公司董秘办主任沈志鹏，接待地点江苏省启东市经济开发区钱塘江路3000号行政楼4楼会议室。
6、 公司新闻、动态、舆情
①（截止9月30日）股东人数为52984户 环比增加11.93%
②香港万得通讯社报道， 9月30日晚间公告称，为了进一步优化产业链，完善公司战略布局，提升公司研发实力，更好的开拓功率半导体器件应用市场，提高企业核心竞争力，为顺应公司的战略规划和经营发展需要，公司董事会研究决定，拟将南通中创区设立分公司的事项调整为设立全资子公司。
③财联社9月30日讯， 公司公告，为顺应公司的战略规划和经营发展需要，公司董事会研究决定，拟将南通中创区设立分公司的事项调整为设立全资子公司。公司A半导体技术研究院有限公司注册资本为1亿元。
五、券商财务预测
1、近一年相对于标的指数表现
2、近一年相对于行业板块表现
3、财务预测
六、公司行业情况
· 行业规模
1、 半导体分立器件行业的概况
半导体产业的发展始于分立器件，半导体分立器件作为半导体产业的两大分支之一，具有广泛的应用范围和不可替代性。半导体分立器件种类繁多，包括功率半导体分立器件，特殊器件及传感器，敏感器件，小功率半导体分立器件，碳化硅、氮化镓等宽禁带功率半导体分立器件和半导体光电器件六大类别。电力电子技术用于电能分配、转换和控制，通过高效率地变换电能，将"粗电"变为"精电"， 使电子产品和电力设备更加精准地达到使用目标，如通过变频进行调速，使变频 空调在节能 70%的同时更安静，令人感觉更舒适；豆浆机、电磁炉、电烤箱等 小家电在人们生活中的普及率越来越高，功率半导体分立器件在小家电中的应 用，增加了人们使用小家电时的方便性和安全性，生活质量得到提升；手机的功 能越来越多，同时更加轻巧，很大程度上得益于功率半导体研发和超大规模集成 电路的发展的进步；同时，人们希望一次充电后有更长的使用时间，在电池技术 没有革命性进步以前，需要更高性能的功率半导体分立器件进行高效的电源管 理。 电能是人类消耗的最重要能源，无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各 种电池提供的化学电能，大部分均无法直接使用，目前，发达国家电能的 75% 需要经过功率半导体分立器件变换或控制后使用。功率半导体分立器件通过降低 电子产品、电力设备的电能损耗，实现节能环保，是电能控制系统节能减排的基 础技术和核心技术。
我国半导体分立器件产业产量增长状况
2015 年我国功率半导体分立器件产业产量为 5,704.90 亿只，与 2014 年相 比增长了 7.30%，销售收入为 1,999.70 亿元，较 2014 年同比增长了 6.8%。随 着国内节能环保、新能源等下游应用产业的快速发展，以及国家产业政策对下游 新兴产业的大力支持和对传统行业的升级改造，我国半导体分立器件市场的销售 将随之稳步增长。
我国半导体分立器件产业销售额增长状况及发展预测
2、 功率半导体分立器件下*行游**业情况
功率半导体分立器件受益于下*行游**业应用广阔，一直在人民生活和工业生产 用电中发挥电能转换和控制的作用，市场需求将持续增加。在传统应用领域，功 率半导体分立器件引领工业发展方式向节能型转变，实现家电工业转型升级，优 化产业结构，提高人民生活质量。功率半导体分立器件也是电子信息产业的基础， 其发展影响着整个信息产业的进程。随着物联网、云计算、新能源、节能环保等 一系列"十二五"规划的陆续出台，电子信息产业已经是当代经济发展热点，新兴 领域成为支撑功率半导体分立器件保持较好发展势头的重要市场。
（1）传统下*行游**业的基本情况
①输变电行业的基本情况 A．输变电行业的总体运行情况 我国人均用电量水平远低于美、英、日等发达国家，电力行业及其配套设施 未来增长空间巨大。由于我国能源资源与消费需求分布很不平衡，常规能源和可 再生能源主要在西部和北部地区，70%以上的能源需求集中在东中部地区，能源 基地与负荷中心相距 1000 公里到 3000 公里，为配合用电需求，我国"十二五" 期间将投建 14 条特高直流输电项目，"十三五"将规划投建 15 条直流工程。国家 电网预计，2015 年全国装机容量将达到 14.7 亿千瓦，"十二五"期间年均增长 8.9%；"十三五"年均增长 4.6%，装机容量在 2020 年将超过 18 亿千瓦；到 2030 年，我国装机容量将进一步提高至 24.7 亿千瓦。 为满足我国电力需求的增长和用电节能化的趋势，国家电网公司《国家电网 智能化规划总报告》确定电网智能化建设的三个阶段，2009 年－2010 年规划试点阶段，2011 年－2015 年全面建设阶段和 2016 年－2020 年引领提升阶段。目前，我国当前处于电网建设的第三阶段初期，输变电是电力系统的重要环节，其 建设规模也将随坚强智能电网建设而稳步扩大。随着坚强智能电网输变电建设的 推进，柔性输电技术得到全面推广应用，输配电网线损也将成下降趋势。按照坚 强智能电网比传统电网线损率下降 0.1%测算，预计 2020 年因坚强智能电网的 发展将减少线损电量约 72 亿 kWh。B.无功补偿装置提高电能利用效率、降低能源损耗，发展前景良好 无功补偿装置在电子供电系统中起提高电网的功率因数的作用，降低供电变 压器及输送线路的损耗，提高供电效率，改善供电环境。 直流输电工程的发展离不开交流网络的建设，新能源发电并网需求也在迅速 增加，但其不稳定特性威胁着电网的安全，柔性输电系统成为保障电网安全运行 的有效手段。动态无功补偿装置是柔性输电系统的核心，能快速有效调节电网的 无功功率，抑制电压波动和闪变，使整个电网负荷的潮流分配更趋合理，改善电 网质量。 在国家陆续出台实施电力系统技术标准、发展规划的同时，高端无功补偿装 置在智能电网的建设中的普及率快速上升。"十二五"期间，国家电网公司将结合 大规模可再生能源基地建设时序和规模，在送电通道重要的枢纽变电站、电压薄 弱节点、振荡中心、大容量风电场汇集接入点应用推广静止无功补偿器（SVC）、 静止同步补偿器（STATCOM）。无功补偿装置是发行人产品的重要应用领域之 一，受益于未来输配电市场规模持续扩大，未来动态无功补偿装置市场前景广阔。
②家用电器行业的基本情况 家用电器是我国居民生活中重要的消费品，家电工业在轻工业中居于支柱地 位，是我国具有较强国际竞争力的产业之一。目前我国正处在消费结构快速变动 和升级的时期，居民消费正由以衣、食为主的生存型、温饱型，向以住、行为代 表的小康型、享受型转变，家电行业在城市消费升级和农村消费普及的大环境中 得到良好的发展。《中国家用电器工业"十二五"发展规划的建议》对家电工业在"十 二五"时期的主要目标、质量指标、节能环保指标均做了明确的规定，要求主要 家电产品能效水平平均提高 15%，产品返修率降低 20%，主要家电产品抽查合 格率达到 95%以上；积极推广与开发小家电产品，小家电产品的安全、性能和 可靠性进一步改进。 家用电器均由电能驱动，因此，电能控制和转换的能力决定了家电运行的稳 定性，并直接影响人们使用家用电器的舒适度和安全性。功率半导体分立器件是 家用电器的关键零部件，是家用电器性能和品质的决定性因素之一，性能优异的功率半导体分立器件将提升家电整机产品的可靠性、方便性、节能性和安全性， 在我国家用电器整体升级、市场扩展的大背景下，功率半导体分立器件的市场空 间将随着家电行业的发展而具有稳定的市场空间。
（2）下游新兴行业市场的基本情况
功率半导体分立器件作为电子信息产业的基础，其发展影响着整个信息产业 的进程。4G 通信、IT 产品及汽车电子等新兴市场的迅速崛起，使电子信息产业 成为当代经济发展热点，并已渗透到现代科技和国民经济的各个重要领域。通讯 网络、IT 产品和汽车电子的内部电路结构复杂、成本较高，外界的雷击、静电 等情况产生的过电流、过电压会超过上述产品内部电路的承载范围，导致电路直 接损坏。功率半导体防护器件能够及时阻断过载电流或防止雷击、工业浪涌电压 和静电感应，保护新兴电子产品的昂贵电路，提高电子产品的品质，也增加使用 者的安全性，因此，汽车电子、手机、电脑、户外安防等新兴领域的快速发展成 为功率半导体分立器件的强劲需求来源。
3、 功率半导体分立器件细分行业的具体情况
（1）细分行业---晶闸管系列产品
晶闸管是基础型功率半导体分立器件，尽管后期全控型、高频率、集成化、 模块化功率半导体分立器件逐步产生并迅速发展，晶闸管仍然是迄今为止能承受 的电压和电流容量相对较高的功率半导体分立器件。晶闸管是一种三端四层的晶体管，自问世以来，在普通晶闸管的基础上派生 出许多不同性能的新型晶闸管，主要包括单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、 逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管、高频晶闸管等，每个类别按照不同的参数可继续划分为不同规格型号，晶闸管技术和器件是一个广义的概念，形成功 率半导体分立器件的细分行业。晶闸管技术至今仍在继续突破和完善，生产工艺 不断优化，产品性能随之提升，由于其技术成熟、工作可靠性高、性价比优势明 显等特点，在发电、输电、变电、配电、用电的各个应用场合占有重要地位，具有应用广泛性和不可替代性的特点。
①晶闸管的器件特点和应用特点
A. 可靠性高 一个功率半导体分立器件的可靠性缺陷会导致整个电能控制系统发生故障， 由此产生的经济损失远远超过一个分立器件本身的价值，因此，功率半导体分立 器件的可靠性决定了下游产品运行和使用的稳定性和安全性。晶闸管系列产品技术成熟、可靠性高，具有如下特点：晶闸管没有介于导通和关断之间的放大区，因此通态内阻最小，发热最少，承受过电流能力极强，可以达到 10-15 倍的额定电流。 单管电流大，不需要多器件并联。目前大功率晶闸管可以做到额定电流 6000A 以上，避免了在大电流应用时必须并联，从而产生不均流导致器件损坏 问题的发生。 控制触发简单，只需要很窄的脉冲，易于采用变压器或光电耦合器实现强弱 电的隔离，使弱电控制免受强电干扰，大大提高了控制装置的可靠性。
B.容量大晶闸管具有耐高压、大电流、控制方便等优点，可以直接用于控制交流电， 应用具有不可替代性。作为晶闸管在工业领域的主要应用之一，典型的静止无功 补偿装置为晶闸管控制电抗器（TCR）和晶闸管投切电容器（TSC），晶闸管电子开关充分利用了电压过零触发、电流过零切除、开关无触点、响应速度快等晶 闸管特性，在超高压输电系统中提高电网的功率因数，降低供电变压器及输送线 路的损耗，提高供电效率，改善供电环境，增强电力系统运行的稳定性和安全性，是电力传输过程中不可缺少的重要装置。在低压供配电系统中，静止无功补偿装 置用于电压调整，改善电压水平，减少电压波动，改善功率因数，抑制电压闪变， 平衡不对称负荷及配套滤波器能吸收谐波和减小谐波干扰。
②我国晶闸管市场的情况
A.晶闸管是我国功率半导体分立器件中技术成熟的细分产品 我国半导体行业起步较晚，在国际大型半导体公司实行严格技术*锁封**的环境下，完全依靠自主创新和技术积累逐步发展起来。现阶段，相对于行业中的全控型功率半导体分立器件，晶闸管是我国半导体分立器件行业中技术比较成熟的细 分产品，并在普通晶闸管的基础上，派生出单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸 管、可关断晶闸管、快速晶闸管、高频晶闸管等新型晶闸管器件，在性能上弥补 了普通晶闸管的不足之处，如高频晶闸管提高了普通晶闸管的开关频率、双向晶 闸管具有正反两个方向都能控制导通的特性、逆导晶闸管具有反向导通的功能、可关断晶闸管具备自关断能力，为下*行游**业提供了更多种类、更为经济的功率半 导体分立器件系列。 新型晶闸管产品类别丰富的同时，生产工艺的技术瓶颈也实现重大突破。材料的改进和工艺技术的优化促使晶闸管技术向精细化方向发展，全方位提升晶闸 管器件的可靠性、稳定性和一致性。行业内的优秀企业通过持续的研发投入和探 索创新，掌握了晶闸管领域的核心技术，拥有自主知识产权。
B.晶闸管国产化打破了国内功率半导体分立器件市场受制于国外技术的局面。国外大型半导体公司在我国半导体市场上长期处于优势地位，约占我国半导体市场份额的70%，晶闸管系列产品是国外公司的主流产品之一，长期以来占 据广泛的市场空间。随着我国晶闸管系列产品技术深入性和外延性的双向快速发 展，本土晶闸管产品的质量优势和价格优势已经逐渐体现，并获得市场认可，技 术已经达到国际先进水平，晶闸管国产化打破了国内功率半导体分立器件市场受 遏制国外技术制约的局面，并通过对外出口打开高端晶闸管的国际市场空间。 国内下*行游**业的知名企业和大型企业过去主要采用国外功率半导体分立器 件，从而确保自身产品质量的可靠性。近年来，国产晶闸管产品系列丰富，性能 优势明显，达到国际同类产品标准，行业内的优质产品通过越来越多知名企业的 考核和认证，并开始大量采购应用，下游产品的缺陷率和产品退返率也因晶闸管 性能的提高而呈现下降趋势。国产化晶闸管的市场份额开始扩展到原外国产品占 领的市场空间，市场前景广阔。 国内高端晶闸管产品性能优势也引起了国际大型半导体公司和下*行游**业知 名企业的关注。这些跨国公司在前期严格考核产品性能、生产工艺等技术标准后， 向我国具有高端晶闸管芯片研发能力和制造能力的半导体公司采购晶闸管器件，并逐年加大采购数量。作为我国技术成熟的功率半导体分立器件，高端晶闸管在 国内市场替代进口的同时，市场空间也延伸至国际市场，实现对外出口，在细分 产品市场内与国际同类产品在高端领域展开竞争。
C.晶闸管是当前市场上性价比优势突出的功率半导体分立器件功率半导体分立器件种类繁多，多代产品并存，产品间不可替代性突出。晶 闸管系列产品经过多年发展，与 MOSFET 和 IGBT 相比具有自身独特的竞争优势。下游客户在选择功率半导体分立器件时，综合每种器件的实用性、经济性、可靠性、技术成熟性等复合因素做出最终购买决定。在功率半导体分立器件市场上，晶闸管的价格明显低于 MOSFET、IGBT 产品，其可靠性优势能够保证客户在使用过程中提高终端产品的良品率，减少维修费用，因此，在晶闸管和 MOSFET、IGBT 并存的市场上，高品质晶闸管以其突出的性价比优势称为众多 客户的首选。 我国高端晶闸管的性价比优势更加突出。在产品性能方面，我国高端晶闸管 性能已完全具备与国际同类产品竞争的实力；在生产成本方面，我国高端晶闸管 生产企业拥有有效的技术成果转化机制，配合新材料应用、生产工艺优化、先进 设备投入、人员操作技能提高等多种积极因素的影响，生产成本得到有效控制， 单位芯片和器件的成本降低，销售价格也相对偏低，与国际同类晶闸管产品相比， 在国内和国际市场上具有更加突出的性价比优势。
（2）细分行业---半导体防护器件系列产品 半导体防护类器件种类较多，主要有半导体放电管（TSS）、瞬态抑制二极 管（TVS）、静电防护元件（ESD）、高压触发二极管（SIDAC）等，可应用于汽 车电子系统、楼宇监控及安防系统、通讯设备及通讯终端、电脑各种接口保护、 电子消费品、便携式电子产品、仪器仪表、家用电器和工业电器控制等各类需要 防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，用以对昂贵的电路提供防护，以免受到突 发生过高电压或过大电流损害。半导体防护器件可使电子产品具有抗雷电浪涌 （SURGE）、静电放电（ESD）、电瞬变（EFT）电感负载切换以及交流电源波 动的能力，使得产品更加耐用可靠，从而可以降低产品的修理、维护及更新的费 用。由于使用场合广泛，半导体防护器件市场规模较大，并不断外延。随着节能 环保和智能化时代的到来，家用电器和电子产品向着高端方向演进，高效节能、绿色环保、智能化、一体化等高新技术引领行业发展。在此背景下，一方面是下 游产品的技术进步和功能增加使得总体数量上需要更多的半导体防护器件，另一方面智能化和高端化的下游产品更加精致和昂贵，更加需要高性能、高可靠性的 防护器件进行雷击防护和静电防护。此外，在注重用户体验的市场营销战略下， 基于用户体验和产品安全的考虑，高性能、高可靠性的防护器件也将受到更多下 游生产商的重视，需求将进一步扩大。 手机产业是半导体防护器件的主要应用领域，对半导体防护器件行业带动较 大。随着移动互联网的发展和手机普及率的进一步提升，全球手机市场将保持持 续增长的趋势，带动半导体防护器件的市场需求大幅增长。同时，智能手机产量 增长以及向轻薄化、高端化的发展趋势，使得片式化、高性价比的半导体防护器件需求趋于旺盛。 从近年汽车市场发展看，电动动力系统、智能化汽车开始引领市场潮流。电 动汽车系列高端产品诞生使得汽车产业的整体走势日趋明朗，高端汽车智能化快速发展。随着国内消费水平的提高以及充电桩的布局完善，电动汽车市场将迎来新一轮结构快速升级和产品大批量更新，这将有利于促进国内汽车市场规模增长。电动汽车高端化的整体发展脉络日渐清晰，使得高端半导体防护器件产品具有较大发展潜力。
· 行业竞争格局，市场占有率
（1） 行业竞争格局、市场化程度和行业内主要企业情况
由于半导体分立器件是电能转换和控制的核心部件，而国民经济发展和居民 生活都离不开用电，因此半导体分立器件具有广阔的市场空间。相较于国际半导体行业集中度较高、技术创新能力强等特点，我国半导体分立器件制造行业起步晚，并受制于国际半导体公司严密的技术*锁封**，只能依靠自主创新，逐步提升行业的国产化程度。国际大型半导体公司如意法半导体公司、瑞萨电子株式会社、 艾赛思公司、恩智浦半导体公司等在我国市场上处于优势地位，构成我国半导体 分立器件市场竞争中的第一梯队。 通过长期技术积累，少数国内半导体公司已经突破了部分半导体分立器件芯 片技术的瓶颈，芯片的研发设计制造能力不断提高，品牌知名度和市场影响力日 益凸显，盈利能力也明显增强，形成我国半导体分立器件市场竞争中的第二梯队。 我国功率半导体分立器件制造行业的第三梯队主要由大量的器件封装企业 组成，由于缺乏芯片设计制造能力，第三梯队在我国半导体分立器件市场上的利 润空间低，竞争比较激烈。
①国际大型半导体公司占据我国功率半导体分立器件市场的优势地位
我国已经成为全球功率半导体产业的重要市场，但我国功率半导体分立器件 的设计制造能力还有待提高，国内功率半导体企业的生产条件和工艺技术大多仍 处在国外上世纪 90 年代的水平，关键技术仍掌握在少数国外公司手中。欧美和日韩企业凭借着产品质量好、技术领先，在我国功率半导体市场中占据绝对优势 地位，而我国半导体企业技术水平相对落后，优势产品种类相对单一，和国际一 流半导体公司在全控型功率半导体分立器件市场上的竞争能力上有明显差距。目 前，国内市场所需的功率半导体分立器件主要依赖进口产品，国际大型半导体公 司产品在我国市场的优势地位突出。近年来，我国对功率半导体分立器件旺盛的市场需求吸引国际大型半导体公 司在我国境内不断扩张业务规模，并在产品价格、种类、技术创新、新产品开发、 成本、供货及时性等各个方面加强实力，计划在我国扩大生产规模，建立研发中 心，获取更多优势，与行业内优秀的本土企业展开竞争。
②市场化程度高，少数具有综合实力的国内优质企业竞争优势相对突出 我国从事半导体分立器件行业集中度低，规模以上的功率半导体分立器件公 司约有 2000 家，只有少数本土公司具备芯片研发、设计、制造全方位的综合竞 争实力，通过长期的技术积累和持续的自主创新能力，生产出附加值较高的产品， 满足客户严苛的产品认证标准，市场知名度和盈利能力稳步提升，在国内竞争主体众多的环境中处于领先地位。
（2） 行业内主要企业情况
公司A是功率半导体分立器件行业内专业从事芯片设计、研发、制造和器 件封装的主流企业，芯片设计制造能力突出，竞争对手主要为国内外具有芯片设 计制造能力的半导体分立器件企业，如意法半导体公司（ST Microelectronics）、 瑞萨电子株式会社（Renesas ElectronicsCorporation）、艾赛思公司（IXYS Corporation）和恩智浦半导体公司（NXP），以及国内半导体行业的主要上市 公司。 根据国内上市公司公开信息显示以及公司技术人员、市场人员分析，国内 半导体行业的主要上市公司中扬杰科技（300373）、台基股份（300046）、华微 电子（600360）、士兰微（600460）的少部分类别产品与发行人相近，因此， 列为发行人国内竞争对手。其中，台基股份和士兰微由于具体产品及应用领域不 同，与发行人不存在直接竞争关系，扬杰科技和华微电子部分产品与发行人产品 存在一定的竞争关系，但由于公司间主要产品及其应用领域不同，竞争关系较小。 上述公司目前与发行人不存在实质的竞争关系。 上述公司技术水平与发行人的差异主要是产品不同对应的工艺设计和工艺 流程的差异，前述公司相应产品与发行人产品的应用领域的差异见下表：
①意法半导体公司（ST Microelectronics）创立于 1987 年，是全球最大的 半导体公司之一，纽约证券交易所和泛欧证券交易所上市公司，在分立器件、手 机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。意法半导体公司是业内半导体产品 线最广的厂商之一，从分立二极管与晶体管到复杂的片上系统（SoC）器件，其 主要产品类型有 3,000 多种，是各工业领域的主要供应商。
②瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）于 2003 年 4 月 1 日由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立，东京证券交易所 上市公司。RENESAS 结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经 验，是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应 商。
③艾赛思公司（IXYS Corporation）成立于 1983 年，纳斯达克证券交易所上市公司，是全球能源管理半导体供应商，提供完整系列的功率产品和技术，从 高端功率半导体产品到微控制单元，公司产品覆盖能源市场系列产品 90%以上。
④恩智浦半导体公司（NXP）由飞利浦公司创立，纳斯达克证券交易所上市 公司，拥有 25,000 多项专利，全球超过 24 个研发中心，是行业内最丰富的多 重市场半导体产品供应商之一，产品包含从基础器件到可提升媒体处理、无线连 接与宽带通信等功能复杂的芯片等。
⑤湖北台基半导体股份有限公司（证券代码为"300046"，以下简称"台基股 份"）成立于 2004 年，注册资本 1.42 亿元。经营范围为功率晶闸管、整流管、 电力半导体模块等大功率半导体元器件及其功率组件，汽车电子，电力半导体用 散热器，各种电力电子装置的研制、生产、销售。
⑥扬州扬杰电子科技股份有限公司（证券代码为"300373"，以下简称"扬杰 科技"）成立于 2006 年，注册资本 4.22 亿元，公司主营业务为分立器件芯片、 功率二极管及整流桥等半导体分立器件产品的研发、制造与销售。主营产品为半 导体分立器件芯片、光伏二极管、全系列二极管、整流桥等。
⑦杭州士兰微电子股份有限公司（证券代码为"600460"，以下简称"士兰微"） 成立于 1997 年，注册资本 12.47 亿元。士兰微目前的产品和研发投入主要集中 在以下三个领域：应用于消费类数字音视频系统的集成电路产品；基于士兰微电 子集成电路芯片生产线的双极、BiCMOS 和 BCD 工艺为基础的模拟、数字混合 集成电路产品；基于士兰微电子芯片生产线的半导体分立器件。
⑧吉林华微电子股份有限公司（证券代码为"600360"，以下简称"华微电子"） 成立于 1999 年，注册资本 7.38 亿元，是集功率半导体分立器件设计研发、芯 片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业，拥有多条功率半导体分立 器件及 IC 芯片生产线，主要生产功率半导体分立器件及 IC，应用于消费电子、 节能照明、计算机、PC、汽车电子、通讯保护与工业控制等领域。
（3） 公司A产品在行业中的市场地位
功率半导体分立器件行业市场容量巨大，行业内企业众多，市场集中度很低， 呈现出结构性竞争的特点。发行人具有功率半导体芯片研发、设计、制造和封装 测试的综合竞争优势，专注于高端晶闸管细分行业，以高品质、低成本的优势稳 步替代进口同类产品在我国的市场空间，形成了较强的盈利能力。 晶闸管是功率半导体分立器件中技术成熟的产品，在所有功率半导体分立器 件中，晶闸管耐压容量最高（可达 12KV 以上）、电流容量最大（可到 6000A 以上）。正是由于其高电压、大电流、导通损耗极低的特性，在高压直流输电 （HVDC）、静止无功补偿（SVC）、大功率直流电源及超大功率和高压变频调 在应用方面占有十分重要的地位。另一方面，相对于其他功率半导体分立器件， 晶闸管制造成本较低、体积小、重量轻、相应配套电路结构简单的特点，保证了 晶闸管的广泛应用空间。凭借长期的技术积累和自主创新，生产的高端晶闸管产品逐渐受到国际知名半导体公司和下游知名企业的重视和认可，通过了复杂的产品技术、生产 工艺等前期质量认定程序，原来只采用国际晶闸管产品的下游客户以及国际知名半导体公司逐步与发行人达成供货意向或签署了供货协议，实现国产高端产品替代进口同类产品，降低我国对国际大型半导体公司的依赖，并不断增加高端晶闸管产品的出口量，在国际市场上以优良的性价比优势与国际产品展开良性竞争。
· 行业变化趋势
最近三年，公司A产品的市场地位、技术水平及特点、经营模式、竞争优 势与劣势未发生重大变化。随着公司技术创新能力不断增强，产品性能和品牌知 名度不断提高，客户向大型化、知名化方向拓展，公司的市场地位逐步提升。公 司未来将持续丰富现有产品的种类，根据市场需求导向精细化现有产品的性能， 并通过拓宽产品线，依托现有成熟技术和发展战略，实现近期着重发展防护器件， 远期培育并研发制造 MOSFET、碳化硅宽禁带功率半导体分立器件等产品，进 入更为广阔的功率半导体分立器件市场空间，以替代进口产品为目标，最大化公 司的盈利能力。
· 行业技术水平
（1） 半导体分立器件制造行业的技术水平
半导体分立器件的技术包含了电气工程中的多种领域，不同领域知识的结合 促进行业交叉边缘新技术的不断发展，并带来广阔的发展前景。电力电子技术是 弱电控制与强电运行之间，信息技术与先进制造技术之间，传统产业实现自动化、 智能化、节能化、机电一体化之间的桥梁，是国民经济的重要基础技术。 随着终端产品的整体技术水平要求越来越高，功率半导体分立器件技术也在 市场的推动下不断向前发展，CAD 设计、离子注入、溅射、多层金属化、亚微 米光刻等先进工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提 高、制造难度也相应增大。目前日本和美国等发达国家的功率器件领域，很多 VDMOS、IGBT 产品已采用 VLSI 的微细加工工艺进行制作，生产线已大量采用 8 英寸、0.18 微米工艺技术，大大提高了功率半导体分立器件的性能。 产品性能提高的同时，半导体分立器件的产品链也在不断延伸和拓宽。现代 功率半导体分立器件向大功率、易驱动和高频化方向发展。晶闸管、MOSFET 和 IGBT 在其各自领域实现技术和性能的不断突破，每类产品系列的规格、型号和种类愈加丰富。同时，新型产品如结合晶体管和晶闸管优点的集成门极换流晶闸管 IGCT 及碳化硅、氮化镓等宽禁带功率半导体分立器件陆续被研发面世，并开始产业化应用，应用领域也渗透到能源技术、激光技术等前沿领域。我国半导体分立器件行业的整体技术水平落后于日本、韩国、美国和欧洲， 国内产品种类单一，以硅基二极管、三极管和晶闸管为主，MOSFET 产品、IGBT 产品近年才有所发展。由于高性能功率半导体分立器件技术含量高和制造难度 大，目前国内的生产技术与国外先进水平存在较大差距，产品性能也需要市场经过大批量、长时间检验后才能确认。
与我国功率半导体分立器件行业整体技术水平落后相比，细分领域晶闸管系 列产品的技术在我国得到长足的发展，行业内的优秀企业通过长期技术积累、生 产工艺的改进和自主创新，形成具有自主知识产权的技术体系，生产工艺的先进 性确保产品的可靠性、一致性达到国际水平，满足我国市场对高端晶闸管替代进 口的需求。
（2） 行业的技术特点
功率半导体分立器件的下*行游**业覆盖面广，终端产品发展迅速，技术要求不 断提高，节能环保标准日趋严格，带动功率半导体分立器件新技术和新产品的研 发速度、技术成果转化速度、产品普及速度大幅提升。 电力电子技术自 20 世纪 50 年*开代**始发展起来，至今形成以晶闸管、 MOSFET、IGBT、碳化硅宽禁带功率半导体分立器件为代表的多代产品，每代 产品也在实践中不断突破原有技术瓶颈，派生出众多规格和型号，适应不同下游 产品。新技术、新产品的诞生拓宽了原有产品和技术的应用范围，适应更多终端 产品的需求，但是，每代产品在频率、功率、开关速度等参数上均具有不可替代 的优势，一代新产品、新技术的产生并不能替代原有产品和技术，市场上形成多 代功率半导体分立器件产品并存的格局。
· 行业毛利率
行业毛利率
行业净利率
行业净利率
行业资产负债率
行业资产负债率
· 行业产业链（行业上游、下游）
