三星电子已开始对每秒处理速度为24Gb的16GB GDDR6 (Graphics Double Data Rate 6，简称GDDR6) DRAM内存进行打样。
新型高速显卡存储芯片采用了EUV技术，采用了三星电子的第三代10纳米级工艺，旨在提高下一代显卡、AI应用程序、高性能计算系统服务器和网络基础设施的显卡性能。
这款24Gbp/s的GDDR6 DRAM采用了创新的电路设计，采用了先进的绝缘材料High-K Metal Gate，最大限度地减少了数据丢失。与2018年1月推出的18Gbp/s相比，它的速度将提高30%。当与高级显卡集成时，GDDR6 DRAM将每秒传输高达1.1TB的数据。该公司将其设计为符合JEDEC标准，并与广泛的GPU设计和制造商合作。
在不久的将来，新的GDDR6产品线将包括低功耗选项，使用动态电压开关技术，可以根据性能需求自动调整工作电压。三星表示，它将提供20Gbps和16Gbps版本，在1.1V时，与1.35V的GDDR6行业标准相比，能效提高了约20%。
图形DRAM曾经主要用于个人电脑、笔记本电脑和游戏机的消费级计算，但它在图形研究和企业的应用正在增长，特别是在高性能计算和数据驱动的AI项目中。三星表示，他们正在利用GDDR6的无缝4K和8K视频*放播**能力，以及对AI加速器工作负载的支持来解决这些较新的使用情况，其中更高的带宽和更低的延迟是关键。该公司预测，未来几年全球DRAM市场将出现两位数的增长。
三星电子内存产品规划团队执行副总裁Daniel Lee表示:“人工智能和元宇宙推动了数据的爆炸，推动了对更强大的图形能力的需求，这些能力可以以极高的速度同时处理大量数据集。随着行业首个24Gbps的GDDR6采样，我们期待在下一代GPU平台上验证图形DRAM，从而及时将其推向市场，以满足新需求的冲击。”
三星将于本月开始客户测试，并计划将GDDR6推向市场，以配合对应GPU平台的推出。