1、肖特基二极管
如下是功率二极管的原理
N型半导体中的电子会向金属扩散，虽然金属的电子浓度高且能自由移动，不过其金属电子所处的能带较低，从而无法从金属侧进入N型半导体的导带中（因为在外界没有注入能量的情况下，电子只能在与原本相同的能量轨道上移动），而N型半导体中高能量的电子会扩散到金属中。
这样随着N型半导体中电子向金属扩散，就形成了如上所示电场，于是后面的分析就跟PN节是一样的，正向导通反向截止。
同样对于如果金属与P型半导体结合的形式，其载流子移动情况如下:
金属中的空穴能级比较高，从而不会主动的向P型半导体中扩散，而P型半导体中的空穴会向金属中的同能级轨道移动而使得金属带有更多的正电荷，最终形成电场。
以 上都会形成肖特节，那它和我们前面介绍的PN二极管有什么特点呢?首先其零偏电压比较低，大概在0.35V左右，而PN节大概在0.7V左右；
同时肖特基二极管有比较大的漏电流16uA~100uA不等，所产生的电流都是由单一的载流子产生的，如金属-P型都是由电子产生的，而金属-N型都是由空穴产生的，而PN节的电流是由两种载流子共同形成。
肖特基二极管相比PN节二极管缺少扩散区，因为金属的粒子浓度高，而P型或者N型半导体到金属中的扩散认为对金属区域相应粒子浓度没有什么改变，所以其几乎没有扩散区，极大地加强了肖特基二极管的动态特性。(由前面的知识我们可以了解到，扩散区是影响PN节二极管开通关断的最主要原因)
2、二极管动态特性带来的影响
下面简单分析一下肖特基二极管的动态特性，在平时的电路中，只要有连线都是会存在等效电感和电阻的存在，只是相对比较小，通常对于电感而言1cm导线大概有10nH的电感，那么在切换的过程中其连线上的电感与二极管中的等效电容就容易形成RLC二级振荡电路，如下图所示均为衰减的正弦波形，引起电压电流的过冲，最终容易损坏器件。(如下图是从正偏切到反偏)
而PN节二极管相对肖特基二极管而言，其由于存在较大的扩散区所以其等效电容更大:
当二极管正偏扩散区的电子和空穴浓度都会增加，而当二极管两端电压反向以后，首先应该是扩散区浓度降低，然后是势垒区宽度变宽，此时降低扩散区浓度就会产生较大的反向电流，相比肖特基二极管更高，类似于等效电容放电，因为从正偏到反偏需要消耗扩散区，而后面的振荡过程都比较类似。
虽然肖特基二极管与PN节二极管都有电压电流超调的情况，不过肖特基二极管一般不会超过反向电压的两倍，而PN节二极管其电压超调远远超过两倍，主要是电感的能量会去给二极管等效电容充电，如果两者比例较大，会导致电容电压非常高。
不管是肖特基还是PN节都会存在电压过冲的问题，可以通过在二极管两端并联一个电容与电阻串联来减低峰值。
以上是从正偏到反偏，然而从反偏到正偏一般不会有太大的电压电流波动，仅仅只是PN节有一个扩散区积累载流子的过程，从而导致电阻增大，电压会上升一点，肖特基二极管就更不明显了。
根据反向过压的问题，大家可能更加倾向于使用肖特基二极管，但是肖特基二极管其反向耐压能力较差，Si一般50V左右，所以这也是选型过程中需要考虑的。
3、PiN结构
如果想要二极管导通电流大，需要对半导体材料进行重掺杂。而掺杂越重会使得二极管内部场强缩短，更容易被击穿，所以为了增加耐压又只能轻掺杂。
所以PN节二极管耐压与导通是矛盾的，为了解决这个矛盾就有了PiN结构。
中间的N-拓宽了场强区域，从而反向耐高压；
P+、N+载流子在N-中的移动又增强了其正向导通能力。
4、二极管参数
二极管额定电流为其额定发热对应的正弦半波电流平均值，并不是所谓的峰值等，其有效值=1.57*额定电流值。
二极管导通以后的压降主要是中性区和扩散区，其势垒区一直是0.7V，所以中性区和扩散区就类似于电阻。
一般都是选择平时工作电压的1.5倍作为其参数选型。