芯片一直是困扰我国半导体产业自主发展的一大痛点，长期以来，我国芯片高度依赖国外进口，致使国产芯片的发展进程十分缓慢。然而，2020年的芯片禁令彻底打破了这种僵局，受限于芯片禁令影响，拥有自主可控的国产芯片的重要性愈发引人深思。
彼时，国家开始大力扶持国产半导体产业，很多企业、科研机构等也借此机会开始推陈出新，一些新的芯片概念被不断地爆料出来，比如，光量子芯片、碳基芯片等概念也是层出不穷。鉴于与国外传统光刻工艺芯片制造水平的巨大差距，很多媒体称这些概念为国产芯片的“另辟蹊径”或“弯道超车”之路。
冰刻机也属于这类概念中的一种，从字面解释来看，它与传统光刻机概念类似，也是制造芯片的一种半导体设备，区别在于光刻与冰刻。
冰刻机的核心在于“冰刻”技术，这一技术的关键原理是把传统光刻过程中所使用的光刻胶替换成冰，俗称“冰胶”，利用电子束将打到的冰瞬间气化，从而直接雕刻出冰膜板。再与光刻步骤类似，完后后续冰刻芯片的加工制造。
需要说明的是，这里的冰刻胶并不是普通的冰，而是兼具光刻胶与冰特性的新型化学合成冰。研究发现，水蒸气在零下近140℃的真空环境中，会直接凝结成无定形冰，利用其无定形特性，可以包裹任意形状的表面，实现代替传统光刻胶的涂胶过程。
目前，开展这种技术研究的国家非常少，全球只有两个实验室在做，一个在丹麦，一个在中国。
我国浙江西湖大学的著名学者仇旻和其团队，早在八年前就已经开始深入研究该项技术，而且已经完成了冰刻机的雏形，在Nano Letter、Nano scale等期刊上，均发布了一系列重要研究成果，可谓抢先填补了该技术领域的空白。
据悉，冰刻机2.0也正在研发之中，如此看来，冰刻技术应该是已经得到验证，是切实可行，而非异想天开。那么，冰刻技术是否正如媒体所料，是我国绕开光刻机，实现弯道超车的绝佳途径呢？
根据冰刻技术原理，理论上相比于光刻技术，冰刻确实拥有很多优势，比如良率。传统的光刻技术采用的是“光刻胶＋EUV光源曝光”模式，光刻胶是其不可缺少的关键一步，芯片生产过程中，第一步就是要涂敷光刻胶。由于光刻胶是一种光敏感性胶状液体，涂敷过程必然存在不均匀、残留等问题，势必会影响光刻芯片的良率。
而冰刻技术采用的是“水蒸气＋电子束雕刻”模式，即通过水蒸气在真空环境中遇冷凝结成无定形冰，充分覆盖晶圆表面形成所谓的“冰胶”来代替光刻胶，再进行电子束雕刻。由于是冰，可以融化之后完全消失，不会造成残留，还省去了清洗过程，因此，冰刻技术的良率将明显优于光刻技术。
但同样因为于此，造成其生产效率难以提升，无法与光刻技术媲美。由于采用的是电子束雕刻，需逐帧对晶圆表面进行雕刻，与光刻曝光相比，效率不在一个层次。
此外，即使光刻机是集万家之所长而成的工业精品，难度虽然较大，但目前已经大规模商用，且使用EUV光刻机已经可以实现5nm、3nm等甚至更高的制程工艺，而电子束目前的精度维持在10nm左右，想要以此实现对光刻机的反超，尚不符合实际。
因此，必须认清西湖大学的冰刻机技术确实具有一定的可行性，但还不具备商用潜质，只能说还处于试验阶段，虽然有一定的良率优势，但想要以此来突破光刻机的限制，无异于痴心妄想。
总的来说，冰刻技术至少为学者们又增添了一种新的思路，不怕技术差，就怕不敢尝试，多领域尝试突破，总有实现超越的时候。