2019年7月8日，又有9家科创板公司确定了发行价。分别是中国通号、容百科技、福光股份、光峰科技、乐鑫科技、铂力特、中微公司、安集科技和新光光电。
从申购倍数（报价不低于发行价）看，投资者参与科创板打新热情很高，6家公司超过3倍。从按发行价计算的募集资金与招股书披露的融资计划看，预计多家科创板公司存在超募的可能。
其中，中国通号以5.85元/成为发行单价的最低，而乐鑫科技以62.5元则成为“股价之王”，市场最关注的的中微最后发行价格定在29.01元，按此计算，上市时总市值便达到155亿元，而静态市盈率更是达到170倍以上，是目前发行价静态市盈率最高的公司。
作为科创板标杆企业，中微在路演时真的“一凳难求”，整个路演厅挤得满满当当，聚集了大量的关注度的中微半导体，也催生了较高的打新热情，因此有较高的PE，也算预料之中。
但是也有老股民不禁要问，为什么会给出如此高的估值？
科创板特色，多种估值方法自主选择
传统的A股市场，发行时基本只有市盈率法，上市定价不超过23倍市盈率，也是默认的规矩。
但是科创板不一样，科创板定位是为国家战略服务，中国要支持创新，要培养一大批创新、创业的潜力公司，同时为这些创新公司提供一个资本市场平台，补足多层次资本市场的一环，这就是科创板的初衷。
因此从科创板做了较多的尝试，上市标准和要求完全不同于主板。比如允许报告期内存在亏损，发行价完全由市场定价。
对于中微这样还处于成长期的公司而言，当下还处于投入阶段，相当利润需要投入下一轮研发，所以近看业绩报表，属于比较“难看”，成长期公司不可能像成熟期公司那样销售额和利润率保持一定比例。
如果用老方法，那中微去年仅仅9000多万多利润，根本没法看。
因此主流券商大多选择市销率法（PS）为主，PE为辅助，显的更加合理。
如果按市销率来算，去年中微16.3亿的销售收入和现在155亿估值相比，PS约9.5倍。如果对比其他同业上市公司，北方华创静态PE407倍、PS9.3倍；长川科技静态PE189倍、PS24.5倍；至纯科技静态PE180倍、PS7.7倍，相比之下中微估值也显的基本合理，并未和主板股票有较大差距。
中国半导体设备技术最强音
虽然市场给出较高的估值，但是并非不理性。作为中国半导体设备研发能力，技术水平最强公司，确实对得起大家对它的期望。
中微的主业是研发和制造半导体、集成电路领域设备，主业为生产销售刻蚀机和MOCVD，以及设备的备件销售和后期服务。
来自中微招股说明书
公司80%的业务来自设备的直接销售，其中MOCVD销售占设备销售总量的59%，刻蚀设备占40%。
刻蚀机主要用于集成电路晶圆制造环节，是芯片制造三大核心工艺——光刻、刻蚀、薄膜沉积工艺中，刻蚀工艺实现的核心设备。
由于刻蚀对象不同，刻蚀机又分为：硅刻蚀机、介质刻蚀机和金属刻蚀机。按技术又分成电容耦合等离子（CCP）刻蚀机和电感耦合等离子（ICP）刻蚀机。
其中ICP刻蚀机主要用于刻蚀硅和金属层，CCP刻蚀机用于刻蚀氧化层。
光刻-刻蚀工艺示意图
刻蚀机是核心工艺之一，是晶体管制造的核心。刻蚀需要满足一定的参数，主要有：刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差和选择比等。刻蚀速率指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度；刻蚀剖面指的是刻蚀图形的侧壁形状，通常分为各向同性和各向异性剖面；刻蚀偏差指的是线宽或关键尺寸间距的变化，通常由横向钻蚀引起；选择比指的是同一刻蚀条件下两种材料刻蚀速率比，高选择比意味着不需要的材料会被刻除。
简单理解刻蚀工艺，主要是指在硅表面，按照图形向下刻蚀出一块区域，以便进行后续工艺。特别是先进制程的刻蚀机，对分辨率有极高的要求，要求在十几纳米到几纳米的宽度上，挖槽、钻孔，做到完美的精确控制，不任何出差错，难度可见一斑！
目前芯片制造工艺已经到达1500步，甚至部分先进工艺超过2000步。任何一个环节出一点点差错，会导致整批晶圆报废，损失不可估量。因此芯片制造工厂对于所有的设备、耗材、材料以及辅助生产环节苛刻到不能再苛刻！
参考消息：2019年1季度，台积电因为一批不合格的光刻胶，导致十万片晶圆报废，直接经济损失达5.5亿美金！
无疑任何晶圆工厂都无法承受在芯片制造环节出问题的风险。因此晶圆工厂对设备供应商、材料供应商提出要求就是可靠、可靠、再可靠！
而目前中微的刻蚀机已经打入台积电的7nm的产线，而5nm也通过了验证！是对中微最好的肯定，中国半导体设备最强音，确实名副其实。
明星产品，潜力无限
目前中微的刻蚀机和MOCVD都做的非常优秀，特别是刻蚀机，已经是中微最硬的产品！
目前一台12英寸先进制程的刻蚀机的售价在250万-400万美金左右（具体看配置，单腔还是多腔，ICP还是CCP）。折合人民币大约1700万-2800万一台，目前中微的Primo 系列的CCP刻蚀机大约2000万一台，是目前最畅销的介质刻蚀机之一。CCP刻蚀机主要刻蚀的是氧化层，包括氮化硅和氧化硅。由于氮化硅和氧化硅都比较硬，工艺控制难度系数非常大！
芯片内部是一个立体结构，如果我们打开剖面图，可以看到，分成体硅层、精密布线层，和全局布线层。CCP刻蚀机主要就是用于全局互联层上刻蚀氧化层，挖深槽和钻深孔。
目前业内把半导体生产线水平大致划分三类：8寸成熟生产线、12寸成熟制程生产线和12寸先进制程生产线。
其中8寸晶圆产线工艺阶段为250nm-130nm；成熟制程12寸线工艺阶段为90nm-28nm；先进制程包括22nm、16/14nm、10nm、7nm、5nm等。
根据公开资料整理和品利基金的研究，目前65nm工艺，每1万片产能对应25台刻蚀设备，其中ICP：CCP机台数量约为4:6。而更加先进工艺中，特别是22nm工艺下，因为多重曝光技术，以及互联层的增加，刻蚀机用量更大。基本到16nm工艺，每1万片产能，对应刻蚀机数量为60台。
资料来源：台积电
因为先进制程工艺的全局布线层层数越来越多，工艺上也是先在氮化硅上画好图形，再用CCP刻蚀机在氮化硅上进行挖槽、打孔等操作，因此对介质刻蚀机需求量越来越大。
同样，ICP刻蚀硅部分，在14nm以下也越来越重要，22nm工艺下，要用多重曝光技术，需要两次曝光、两次刻蚀，基台数量基本和CCP达到1:1的水平，但是售价来看，中微NAVO系列的ICP刻蚀机 售价高达2800万，是CCP刻蚀机的1.3倍左右。
多重曝光示意图，要利用上一次留下的图形，作为掩膜板来进行下一次刻蚀
除了标准的代工工艺，特别是FLASH市场，对CCP需求更高！
目前国际主流NAND FLASH普遍达到已经达到64层以上，先进的更是达到96层，预计未来将要达到256层，这种情况下，估计一万片产品的3D NAND FLASH 64层19nm 要使用超过50台以上刻蚀机。
基本晶圆工厂产能都是每月2万片起步，因此对应的刻蚀机数量至少翻倍，正常情况下，一个先进制程的12英寸线，有60-90台各类刻蚀机。
目前IHS统计数据2018全球半导体设备市场为800亿美金，其中晶圆制造前道和后道对比约为6:4，即前道设备为640亿美金，刻蚀机约占建设设备支出总量的20%，因此刻蚀机全球市场规模为128亿美金，2019年，预测下滑10%，预计为115亿美金。
根据中微的披露的财务数据，2018年，中微的刻蚀机销售额为5.6亿元人民币，折合0.82亿美金，仅占全球刻蚀机市场份额的0.06%，未来三年保守估计中微能占领3%的市场，乐观估计为5%，那仅刻蚀机收入就达到3.6亿美金—6亿美金，折合人民币24.48亿元—40亿元，这样的业绩表现是完全有可能达到的。
你想不到的蓝海市场！
中微除了普通MOCVD之外，还另外一款重量级产品即将上市，高温MOCVD，也称HT-CVD。
不同于普通MOCVD的工作时约700度的温度，HT-CVD可达到1400度高温，是专用的高温掺铝型MOCVD。
这东西要干嘛？
UVC-LED了解一下!
UVC是指波长小于280nm的紫外光，这种波长的光，人眼已经无法看到，属于不可见范围。特别是在250nm的波长的UVC，由于波长短频率高，因此所携带的能量非常大，只需1秒钟能轻易破坏生物的DNA结构，因此用来杀细菌、杀病毒特别好用，超过99%细菌病毒等微生物，被UVC照射后就能杀灭，安全无副作用，绝对是人类一大福音。
用紫外杀菌，其实此前一直在用，长久以来一直依赖汞灯做紫外杀菌消毒的光源，但是2017年，中国已经签署《水俣公约》。
《水俣公约》全称《关于汞的水俣公约》，是世界上首个就高毒性金属汞签署的法律约束力公约，以历史上最严重的汞中毒事件命名。共有128个签约方，中国也是签约方之一。2017年8月16日，公约在中国等缔约方正式生效。从当年开始将逐步禁止开采、生产、销售含汞的产品，其中包括汞灯！
换言之，汞灯即将退出历史舞台！
目前紫外杀菌需求非常大，属于千亿级别蓝海市场！包括全中国每年3亿台的家用电器，如冰箱、空气净化器、冰箱、饮水机、牙刷盒、母婴产品等，超过28000家医院和1400多家水厂。目前应用紫外杀菌技术不足1/10，有极其广阔的增长空间。
在这较为刚性的需求下，人们把目光瞄准LED，希望LED也能发出UVC波段的紫外光，这样就能替代汞灯。但是要发射这么短波长的紫外光，对LED的发光效率、功率也是一种巨大考验，需要在原来的GaN里面参入大量的铝元素，形成 GaxALxNx的化合物结构，而实现这种外延层，就需要特质的高温掺铝MOCVD来生长。
目前全中国的LED厂都明白，传统的蓝白光LED市场，基本上已经处于红海市场了，竞争很激烈，很难再谈什么大发展，因此都把目光瞄准了UVC-LED这个新蓝海市场。但是目前UVC-LED的由于制造工艺的问题，产量极低，就像十年前的LED一样，贵到离谱，一片4英寸的UVC wafer 居然要卖到2500美金以上，封装好的灯珠要300元一个，一个电冰箱里面放8个就是2400元，超过一台冰箱一半的成本。而这其中就是因为适合的高温掺铝工艺的HT-CVD太少太贵，市场非常渴望便宜又好用的设备！
目前中微的HT-CVD的样机基本已经开发完毕，正在进行测试，以中微的技术功底，并不难实现。而HT-CVD的潜在市场仅中国大陆就超过每年50台以上的需求，对比德爱思强、日本大阳日酸、Veeco、韩国TES等设备，售价高达1500万—3000万一台，每年光HT-CVD存在至少7.5亿以上的潜在市场需求，中微仅占10%的市场份额就有7500万，外加普通MOCVD，在MOCVD领域每年能为中微贡献8-10亿的营业收入。
除了UVC之外，MOCVD还有一个巨大潜在市场就是Mini/Micro-LED。Micro-LED是一种新型显示方式，从下图技术对面可以看出，对标现在火热的OLED，Micro-LED有更亮、更节能、寿命更长、分辨率更高，反应时间更短的优点。
矢野经济研究调查报告认为到2025年大约有50亿美金左右的市场，而未来micro-LED更是能抢占OLED消费型面板300亿美金，汽车显示领域50亿美金，公共显示20亿美金，总共300-400亿美金的市场。换句话说5年内是OLED取代LCD的趋势，但是十年后OLED存在被Micro LED断后路的可能。
国内知名化合物半导体公司，三安光电看好并宣布进军Micro-LED 领域
因此Micro-LED被认为是未来替代OLED的选择，同样需在在衬底材料上利用MOCVD生长各种外延，中微在此领域已经有一定的技术积累和布局，但是短期内不一定对有业绩有贡献。
TSV SIP的中的应用
中微刻蚀机系列的TSV系列，也是热销产品。
TSV通孔硅刻蚀机，是实现2.5D/3D堆叠封装的核心设备之一。
目前摩尔定律从CMOS工艺角度而言，以及已经逐渐放缓。但是单位面积内晶体集成度还是要不断提高，因此业界就开发出了超越摩尔定律的SiP 技术，用2.5D /3D堆叠封装的技术来实现。
目前摩尔定律沿两个方向发展，其中一个继续遵循传统每18-24个月，单位面积内晶体管数量翻倍的方向，我们称之为晶体管小型化路线。
另外一个方向，是把模拟芯片、逻辑芯片、存储芯片、射频芯片、无源器件、功率器件、传感器等，不同种类的芯片集合到一起，我们称之为多样化路线。
而TSV技术就是解决方案的的核心设备！
其实现在已经有很多基于SiP方案的高集成度的产品应用于市场，比如苹果的iwatch、手机上的指纹识别芯片、医用的内窥胶囊等，都是基于SiP技术实现的！
在SiP的大潮下， 我们有理由相信中微的TSV设备未来有良好的表现，预计能为中微带来更好的收入，目前TSV设备每年仅数台产出，如果条件允许增长到10台以上，大约能带来5000万收入。
进军干法领域，等离子体干法清洗设备即将面世
中微路演时时候，明确表示将逐步开发多种后道先进封装、MEMS、LED、Mini LED、Micro LED等泛半导体设备产品。
中微口中所指出目前后道先进封装的设备，应该是指等离子体干法清洗设备，主要用于去残胶，去有机物、去金属等表面清洗处理。
目前在封装领域不断呈现技术高端化如QFP、QEN/DEN、BGA、CSP等中高端封装产品发展，产量与规模不断提升，对而新型的等离子体干法清洗设备的需求也在不断提升。目前在新式封装需求下芯片封装设备全球销售额近 60 亿美元，而国内芯片封装设备也在2017年达到了206亿以上，等离子体干法清洗设备成为封装工艺的新核心核心设备。
对于中微而言，等离子体干法清洗设备的技术难度远远低于刻蚀机，而且市场验证周期也更短，设备制造也相对简单，一旦打开市场，容易迅速形成销售，保守3年后估计能为中微带来1亿销售收入。
因此从现实情况来分析，中微的2019年、2020年业绩不会太亮眼，但是2021将会有一次大飞跃，预估IC刻蚀机+MOCVD(HT-CVD)+TSV+干法设备=25+10+0.5+0.5=36亿元，按设备30%的毛利润率就超过10亿利润，虽然有相当一部分利润要投入新产品的研发，但是公司实际价值还在不断增长，这个时候你还觉得现在155亿的发行市值贵么？